1.基于SOI工艺的漏区介质(PN结)隔离前栅P-MOSFET射频开关超低损耗器件,

其特征在于，包括P型半导体衬底（1）、埋氧化层（2）、N型沟道区（12）、P型源区（3）、前栅MOSFET的P型漏区（11）、背栅MOSFET的P型漏区（13）、P型漏区隔离区（14）和深沟槽隔离区（4-1、4-2）；埋氧化层（2）覆盖在P型半导体衬底（1）上，N型沟道区（12）设置在埋氧化层（2）上，深沟槽隔离区（4-1、4-2）设置在埋氧化层（2）上且环绕N型沟道区（12）、P型源区（3）、前栅MOSFET的P型漏区（11）、背栅MOSFET的P型漏区（13）和P型漏区隔离区（14）的四周；

在紧靠N型沟道区（12）的一侧设置一个较重掺杂P型半导体区作为前栅和背栅

MOSFET共用的P型源区（3），结深较深；另一侧设置上、下两个较重掺杂P型半导体区分别作为前栅MOSFET的P型漏区（11）和背栅MOSFET的P型漏区（13），前栅MOSFET的P型漏区（11）和背栅MOSFET的P型漏区（13）的结深总和厚度小于N型沟道区（12）或者深沟槽隔离区（4-1、4-2）的厚度；在前栅MOSFET的P型漏区（11）和背栅MOSFET的P型漏区（13）之间设置一个介质区或者N型区从而形成P型漏区隔离区（14），所述P型漏区隔离区（14）对前栅P型漏区（11）和背栅P型漏区（13）的隔离；一薄层横向氧化层作为栅氧化层（9）设置在N型沟道区（12）上，覆盖P型源区（3）顶部的局部、N型沟道区（12）的顶部全部、前栅MOSFET的P型漏区（11）顶部的局部；一多晶硅层作为MOS栅（8）设置在栅氧化层（9）之上；

在深沟槽隔离区（4-1）顶部全部、P型源区（3）顶部一部分覆盖第一场氧化层（5-1）；在P型源区（3）顶部一部分、栅氧化层（9）一侧面、MOS栅（8）一侧面、MOS栅（8）顶部一部分覆盖第二场氧化层（5-2）；在MOS栅（8）顶部一部分、MOS栅（8）一侧面、栅氧化层（9）一侧面、前栅MOSFET的P型漏区（11）顶部一部分覆盖第三场氧化层（5-3）；在前栅MOSFET的P型漏区（11）顶部一部分、深沟槽隔离区（4-2）顶部全部覆盖第四场氧化层（5-4）；P型源区（3）顶部的其余部分覆盖金属层作为源电极（6），源电极（6）覆盖部分第一场氧化层（5-1）的顶部、部分第二场氧化层（5-2）的顶部；MOS栅（8）顶部的其余部分覆盖金属层作为栅电极（7），栅电极（7）覆盖部分第二场氧化层（5-2）的顶部、部分第三场氧化层（5-3）的顶部；

前栅MOSFET的P型漏区（11）顶部的其余部分覆盖金属层作为漏电极（10），漏电极（10）覆盖部分第三场氧化层（5-3）的顶部、部分第四场氧化层（5-4）的顶部。

2.基于SOI工艺的源区介质/PN结隔离前栅P-MOSFET射频开关超低损耗器件，其特征在于，包括P型半导体衬底（1）、埋氧化层（2）、N型沟道区（12）、P型漏区（11）、前栅MOSFET的P型源区（3-1）、背栅MOSFET的P型源区（13-1）、P型源区隔离区（14-1）和深沟槽隔离区（4-1、4-2）；埋氧化层（2）覆盖在P型半导体衬底（1）上，N型沟道区（12）设置在埋氧化层（2）上，深沟槽隔离区（4-1、4-2）设置在埋氧化层（2）上且环绕N型沟道区（12）、P型漏区（11）、前栅MOSFET的P型源区（3-1）、背栅MOSFET的P型源区（13-1）和P型源区隔离区（14-1）的四周；

在紧靠N型沟道区（12）的一侧设置一个较重掺杂P型半导体区作为前栅和背栅

MOSFET共用的P型漏区（11），结深较深；另一侧设置上、下两个较重掺杂P型半导体区分别作为前栅MOSFET的P型源区（3-1）和背栅MOSFET的P型源区（13-1），前栅MOSFET的P型源区（3-1）和背栅MOSFET的P型源区（13-1）的结深总和厚度小于N型沟道区（12）或者深沟槽隔离区（4-1、4-2）的厚度；在前栅MOSFET的P型源区（3-1）和背栅MOSFET的P型源区（13-1）之间设置一个介质区或者N型区从而形成P型源区隔离区（14-1），所述P型源区隔离区（14-1）形成对前栅MOSFET的P型源区（3-1）和背栅MOSFET的P型源区（13-1）的隔离；一薄层横向氧化层作为栅氧化层（9）设置在N型沟道区（12）上，覆盖P型漏区（11）顶部的局部、N型沟道区（12）的顶部全部、前栅MOSFET的P型源区（3-1）顶部的局部；一多晶硅层作为MOS栅（8）设置在栅氧化层（9）之上；

在深沟槽隔离区（4-1）顶部全部、前栅MOSFET的P型源区（3-1）顶部一部分覆盖第一场氧化层（5-1）；在前栅MOSFET的P型源区（3-1）顶部一部分、栅氧化层（9）一侧面、MOS栅（8）一侧面、MOS栅（8）顶部一部分覆盖第二场氧化层（5-2）；在MOS栅（8）顶部一部分、MOS栅（8）一侧面、栅氧化层（9）一侧面、P型漏区（11）顶部一部分覆盖第三场氧化层（5-3）；

在P型漏区（11）顶部一部分、深沟槽隔离区（4-2）顶部全部覆盖第四场氧化层（5-4）；前栅MOSFET的P型源区（3-1）顶部的其余部分覆盖金属层作为源电极（6），源电极（6）覆盖部分第一场氧化层（5-1）的顶部、部分第二场氧化层（5-2）的顶部；MOS栅（8）顶部的其余部分覆盖金属层作为栅电极（7），栅电极（7）覆盖部分第二场氧化层（5-2）的顶部、部分第三场氧化层（5-3）的顶部；N型漏区（11）顶部的其余部分覆盖金属层作为漏电极（10），漏电极（10）覆盖部分第三场氧化层（5-3）的顶部、部分第四场氧化层（5-4）的顶部。