1.一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件，其特征在于：它的底层为硅（Si）掺杂的n型GaAs基片，基片上设置的两个电极区中的一个电极区上，镀有钴（Co）掺杂的非晶碳膜（a-C：Co），该非晶碳膜层上设置有镀银（Ag）层；基片上设置的另一个电极区上直接设置有镀银（Ag）层，两个镀银（Ag）层构成一对电极。

2.根据权利要求1所述的一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件，其特征在-2

于：所述使用硅（Si）掺杂的n型GaAs基片的电阻率为10 Ω.cm。

3.根据权利要求1所述的一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件，其特征在于：钴（Co）掺杂的非晶碳膜（a-C：Co）的Co掺杂量为10 at%（原子百分比）。

4.根据权利要求1所述的一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件，其特征在于：所述钴（Co）掺杂的非晶碳膜（a-C：Co）的非晶碳膜层厚为35-45nm；镀Ag层的层厚为

50-100nm。

5.制备一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件的方法，其特征在于：该方法的步骤是，以硅（Si）掺杂的n型GaAs基片作为底层，底层上预设两个电极区位，在其中的一个电极区位的基片上，采用脉冲激光沉积方法制备金属Co掺杂的非晶碳膜，并通过掩膜板在所制备的金属Co掺杂的非晶碳膜上，再采用真空热蒸发方法蒸镀Ag层；底层上另一个电极区位的基片上也采用真空热蒸发方法直接蒸镀Ag层，则制备成：由Co掺杂的非晶碳膜的p型半导体与硅（Si）掺杂的n型GaAs基片构成的p-n结，由硅（Si）掺杂的n型GaAs基片与其上的镀Ag层构成的肖特基结的双结串联结构的光敏电阻器件。

6.根据权利要求5所述的制备一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件的方法，其特征在于：所述采用脉冲激光沉积方法制备金属Co掺杂的非晶碳膜，是在镀膜时使用纯度为99.99%的石墨和99.9%的金属Co为靶源，金属Co片贴在石墨靶上，操作中，通过靶和样件基片自转实现均匀掺杂，Co掺杂量为10 at%，激光能量390毫焦/脉冲，腔体真空度-4

1×10 mBar，基片温度480℃，靶与基片距离5cm，镀膜后退火30分钟，自然降温到室温，非晶碳膜厚为35-45nm。

7.根据权利要求5所述的制备一种钴掺杂的非晶碳膜/GaAs/Ag光敏电阻器件的方法，其特征在于：所述的真空热蒸发方法蒸镀Ag层，是将一小段50毫克、纯度为99.9%的Ag放-6入加热舟内，腔内抽至背底真空10 mBar，室温下增大电流直至Ag镀层厚度为50-100nm。