1.一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法，其特征在于：包括如下步骤：(1)将Ⅰ族元素的一价金属盐、Ⅲ族元素的三价氯化盐和盖帽剂、表面包覆剂加入到装有非极性高沸点有机溶剂的反应容器中得到混合前体溶液，通入氮气或惰性气体排除反应容器中的空气，搅拌下将混合前体溶液从室温加热至60～180℃，直至形成澄清透明溶液；

所述的混合前体溶液中，Ⅰ族元素阳离子Ⅰ+浓度为0.002～0.02M，表面包覆剂浓度为0.02～

0.075M，盖帽剂浓度为0.1～0.5M，Ⅰ族元素阳离子Ⅰ+、Ⅲ族元素阳离子Ⅲ3+的投料摩尔比为

1:1～10；

所述的Ⅰ族元素的一价金属盐为硝酸银，所述的Ⅲ族元素的三价氯化盐是氯化铟；所述的盖帽剂为烷基硫醇；所述的表面包覆剂为油酸；所述的非极性高沸点有机溶剂是十八烯；

(2)将Ⅵ族元素的油胺溶液加入到步骤(1)获得的澄清透明溶液中，使Ⅵ族元素与Ⅰ+的投料摩尔比为4～40:1，调整温度至110～160℃，维持该温度，使反应进行1～120min，制备得到Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶溶液；

(3)将Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶溶液自然冷却至室温，加入极性溶剂，离心纯化得到Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶；

(4)将制得的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶与LED灌封胶的A组分混合，68～90℃下加热

0.5～1h，得到混合物；得到的混合物中Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶的浓度为0.0001～

0.02mol/L；

(5)将LED灌封胶的B组分与步骤(4)中得到的混合物均匀混合，得到混合液相并离心去除气泡，再将干净平整的载具浸入混合液相中，以30mm/h的速度缓慢提拉成膜，并将薄膜与载具在50℃条件下烘干固化1～4h，得到Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜；LED灌封胶的B组分与A组分的投料体积比为0.98～1.02:10。

2.如权利要求1所述的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法，其特征在于：所述的步骤(2)中，Ⅵ族元素的油胺溶液中Ⅵ族元素浓度为0.1～0.4mol/L。

3.如权利要求1或2所述的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法，其特征在于：所述的步骤(3)中，极性溶剂是甲醇、乙醇或丙酮。

4.如权利要求1或2所述的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜制备方法，其特征在于：所述的LED灌封胶是有机硅型灌封胶。

5.按照权利要求1或2的制备方法得到的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族三元半导体纳米晶发光薄膜应用于发光二极管和固态照明白光LED。