1.一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底(21)、设置于P型衬底(21)上的N阱层及雪崩区(23)，所述雪崩区(23)设置于所述P型衬底(21)和N阱层之间构成PN结，其特征在于：在P型衬底(21)和雪崩区(23)之间还设置有光吸收层(22)，所述光吸收层(22)为设置于P型衬底层(21)上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底(21)的掺杂浓度；

所述P型衬底(21)上还设置有电极VR、VDNW和P衬底电极(27)，其中电极VR与所述雪崩区(23)的PN结相连接并提供反向雪崩击穿电压，所述VDNW偏置电极与光吸收层(22)的深N阱相连接并提供偏置电压，其中在P衬底电极(27)上还设置有P+接触面(24)和N+接触面(25)。

2.根据权利要求1所述的带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，其特征在于：所述P+接触面(24)和N+接触面(25)之间还设置有浅槽隔离STI(26)。

3.根据权利要求2所述的带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，其特征在于：所述光吸收层(22)的深N阱由磷掺杂的Si材料构成，所述雪崩区(23)由PN结构成，P型半导体由Si材料构成，N型半导体由磷掺杂的Si材料构成；所述P+接触面(24)由重P掺杂的Si材料构成，和N+接触面(25)由重N掺杂的Si材料构成，所述浅槽隔离STI(26)由SIO2材料构成、所述P衬底电极(27)由Al材料构成。