1.一种微电子芯片用低介电常数薄膜层的制造工艺，其特征在于：所述制造工艺基于一沉积装置，该沉积装置包括炉体、分别位于炉体两侧的耐压不锈钢釜、真空泵，所述炉体前半段缠绕有感应线圈，此感应线圈依次连接到13.36MHz射频电源和匹配器，炉体后半段为加热温区；包括以下步骤：步骤一、抽除炉体内气体形成低于10-3Pa的真空条件，启动13.36MHz射频电源和匹配器；

步骤二、将正硅酸四乙酯注入所述耐压不锈钢釜内，此耐压不锈钢釜与炉体一端通过管路密封连接，将分别来自2个进气管的氮气和含碳气体混合后通入储存有正硅酸四乙酯的耐压不锈钢釜，正硅酸四乙酯在氮气和含碳气体带动下注入炉体内，所述含碳气体为甲烷、乙烯、乙烷、乙炔中的至少一种，同时向炉体注入惰性气体；

步骤三、正硅酸四乙酯、氮气和含碳气体在13.36MHz射频电源和匹配器激发下形成等离子从而在基底表面沉积一薄膜层；

步骤四、沉积结束后，关闭13.36MHz射频电源和匹配器，对炉体进行放气，待炉体内压力恢复至大气压时，将已沉积的薄膜层转移至炉体的加热温区内后，抽除炉体内残余气体，当炉体内真空度小于10-3Pa时，加热至300℃~800℃保温进行退火处理后，退火的条件为真空无气流，从而获得所述低介电常数薄膜层。

2.根据权利要求1所述的低介电常数薄膜层的制造工艺，其特征在于：所述步骤二中含碳气体为由甲烷、乙烯组成的混合气体，其中，甲烷流量为50sccm，乙烯流量为30sccm。

3.根据权利要求1所述的低介电常数薄膜层的制造工艺，其特征在于：所述步骤二中氮气和含碳气体混合后流量为0.1sccm~1000sccm。

4.根据权利要求1所述的低介电常数薄膜层的制造工艺，其特征在于：所述步骤三中

13.36MHz射频电源、匹配器的功率为25W~300W，沉积时间为30秒~1小时。