1.一种掺钴非晶碳膜/硅光伏器件的制备方法，其特征在于：该方法以N型硅(n-Si)基片作为衬底，于所述衬底上表面预设两片区域，在其中一片区域，采用脉冲激光沉积方法制备钴掺杂的非晶碳膜，然后采用真空热蒸发方法在该碳膜上蒸镀Ag层；在所述衬底上表面另一片区域，直接用真空热蒸发方法将Ag层蒸镀于该区域的n-Si基片上，则制备成：由P型钴掺杂的非晶碳膜与N型Si基片组成的具有光伏特性的P-N结；所述N型硅基片是取磷掺杂的n-Si基片，其电阻率为8-13 Ω·cm，在该基片的一片区域，采用脉冲激光沉积方法制备钴掺杂的非晶碳膜是使用纯度为99.99%的石墨和99.9%的金属Co为靶源，金属Co片贴在石墨靶上，操作中，通过靶和样件基片自转实现均匀掺杂，Co掺杂量的原子百分比为10 %，激光能量320毫焦/脉冲，腔体真空度1×10-4mBar，基片温度400℃，靶与基片距离5cm，镀膜后自然降温到室温，膜厚为25nm；所述采用真空热蒸发方法蒸镀Ag层，是通过掩膜板的控制，对所制备的钴掺杂的非晶碳膜上及n-Si基片上表面另一片区域蒸镀Ag层，蒸镀Ag层时，将-6

一小段50毫克、纯度为99.9%的Ag放入真空腔内的钨片上，腔内抽至背底真空10 mBar，通过电流升温将钨片加热，使Ag蒸发到钴掺杂的非晶碳膜表面及衬底n-Si基片上表面另一个区域，直至两个Ag镀层厚度均为100nm。