1. 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池无镉缓冲层的制备方法，该无镉缓冲层薄膜材料为硫化锌薄膜，由氮气保护烧结和电子束蒸发镀膜技术结合制备获得，其中薄膜厚度为30 ~

500 nm可调，具有纤锌矿结构，薄膜的光学带隙宽度为3.75 eV，可见光区域的平均透射率高于60%，具体制备步骤如下：以市售化学纯ZnS粉末为原料，在15 MPa下保持10 s压实o o成薄圆柱形片，直径1.3 cm，厚度2 mm，将圆柱片在氮气保护下800C或1000C度烧结12 h，待温度降为室温取出，放入电子束蒸发镀膜系统所带的铜坩埚内，以充满铜坩埚的三分之二为宜，分别在玻璃衬底和石英衬底上进行电子束蒸发镀膜，制备ZnS薄膜，本底压强为-3 -4

5.0×10 Pa～5.0×10 Pa，在基板温度为室温或者加热到一定温度的条件下，控制电子束蒸发高压为6 kV或8 kV档位，扫描电流为X为0.6 mA, Y为 0 mA, 扫描波动范围为正负

0.05 mA，蒸镀时压强为0.05 Pa ~ 0.1 Pa，电子束流为25 mA ~ 250 mA，蒸发时间为5 ~

45 min， 即得硫化锌薄膜，将薄膜移入退火炉中进行退火处理，并且在氮气保护下进行，退火处理时间为1 ~ 3 h，即形成具有纤锌矿结构的ZnS薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是ZnS压实圆柱片烧结后呈纤锌矿结构，经电子束蒸发室温制备的ZnS薄膜为非晶结构，经氮气保护退火后为纤锌矿结构。

o

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是蒸发时基板温度为25C。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是蒸镀时不通入任何气体，基板室温时工作压强为0.05 Pa。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是烧结的ZnS圆柱片数量为20个才能达到蒸发坩埚的三分之二以上。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是在ZnS圆柱片烧结的过程和ZnS薄膜的o退火过程，氮气流动态保护，即开始升温时即通入氮气直至降温过程降到80C以下取出前关闭氮气。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是烧结和退火过程的保护氮气为高纯氮气，纯度为99.999%。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征是所制备的ZnS薄膜的颗粒粒径为13.2纳米。