1.一种超宽带CMOS低噪声放大器自动设计方法，其特征在于，输入CMOS LNA设计指标，获取工艺参数；建立短沟道MOSFETs的一阶静态器件方程库，对CMOS LNA的电路性能进行估算，完成晶体管参数的大信号和小信号分析，计算相关信息；建立通用电感源级负反馈的双增益超宽带CMOS LNA电路结构，调用基于噪声和线性功率最佳的矢量空间算法，获得CMOS LNA电路的关键参数；将通用电感源级负反馈的双增益超宽带CMOS LNA电路结构和得到的关键参数导入Cadence模块，完成电路的仿真设计。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设计指标包括：工作频率、增益、噪声系数和输入三阶交调截点；所述工艺参数包括：栅氧化层的厚度、单位面积的栅氧化层电容、载流子迁移率、阈值电压和饱和电压；所述相关信息包括：漏电流、晶体管跨导及二阶和三阶晶体管非线性。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通用电感源级负反馈双增益超宽带CMOS LNA结构的单端LNA结构包括：输入级宽带匹配网络、放大结构和输出级，输入级宽带匹配网络采用并联电容Cp、串联电感Lg和由NMOS管M1、栅源等效电容Cgs共同构成的输入宽带π型匹配网络，放大结构由NMOS管M1、NMOS管M3构成共源共栅结构，共源共栅结构输出端采用电阻Rd和电感Ld并联的电感峰化技术，提高并平坦带宽内的增益，共源共栅结构输入端连接输入级宽带匹配网络，源级采用电感Ls形成负反馈，差分结构的增益由输出级的PMOS管M5的开关电压Vswitch控制，通过开关电压Vswitch的改变控制输出阻抗的变化，从而控制电路增益。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调用基于噪声和线性功率最佳的矢量空间算法，获得CMOS LNA电路的关键参数包括计算输入品质因素Qs和驱动电压Vod，具体包括：将电路的噪声系数NF与Qs和Vod的相关性，及线性度IIP3与Qs和Vod的相关性分别表示为两个矢量空间：ξ1{NF，Vod，Qs}、ξ2{IIP3，Vod，Qs}；定义CMOS LNA电路电流消耗Id与Qs和Vod的关系矢量空间为：ξ3{Id，Vod，Qs}；获得ξ1、ξ2子空间分别为：ξS1{NFIIP3s，Vod，Qs}；将空间ξ1与空间ξS2取交集得到子空间ξS3{NF，QsIIP3，VodIIP3}，将子空间ξS1与子空间ξS3相交得到满足最佳噪声系数和线性度的Qs和Vod子空间为ξTS＝ξS1∩ξS3；将ξTS子空间与ξ3空间相交，得到最佳噪声系数子空间ξopt＝ξ3∩ξTS，在ξopt空间中选择电流最小的点，得到最佳Qs和Vod值，其中NFs、IIP3s分别为目标噪声系数和三阶交调截点参数。

5.根据权利要求3或4所述的方法，其特征在于，根据关键参数Qs和Vod，得到NMOS管M1或M2的跨导gm和栅源等效电容Cgs的值，从而确定NMOS管的尺寸。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，根据单端LNA结构的输入阻抗：

计算电感Ls的值；根据中心频率公式：

计算电感Lg的值，其中，Cgs＝Cp，Cgd为晶体管栅-漏等效电容，

S为拉普拉斯算子。

7.一种通用电感源级负反馈双增益超宽带CMOS LNA设备，其特征在于，包括：两个单端LNA结构差分连接，其中，单端LNA结构包括：输入级宽带匹配网络、放大结构和输出级，输入级宽带匹配网络采用并联电容Cp、串联电感Lg和由NMOS管M1、栅源等效电容Cgs共同构成的输入宽带π型匹配网络，放大结构由NMOS管M1、NMOS管M3构成共源共栅结构，共源共栅结构输出端采用电阻Rd和电感Ld并联的电感峰化技术，提高并平坦带宽内的增益，共源共栅结构输入端连接输入级宽带匹配网络，源级采用电感Ls形成负反馈，差分结构的增益由输出级的PMOS管M5的开关电压Vswitch控制，通过开关电压Vswitch的改变控制输出阻抗的变化，从而控制电路增益。