1.一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器，其特征在于：该纳米薄膜记忆电阻存储器的结构是：铁掺杂的非晶碳(a-C:Fe)膜镀于作为衬底的绝缘石英玻璃(SiO2)基片上，铁掺杂的非晶碳膜两端镀有两个铝(Al)层，该两个铝(Al)层作为电极，电极接线连通电压触发器构成。

2.根据权利要求1所述的一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器，其特征在于：所述铁掺杂的非晶碳（a-C:Fe）膜的Fe掺杂量的原子百分比为10 -15%；所述铁掺杂的的非晶碳（a-C:Fe）膜厚度为30-40nm；所述两个铝（Al）层厚度为80-120nm。

3.一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器的制备方法，其特征在于：该制备方法以绝缘石英玻璃基片作为衬底，采用脉冲激光沉积方法制备铁掺杂的非晶碳（a-C:Fe）膜，然后再采用真空热蒸发方法在所述碳膜上蒸镀两个铝（Al）层作为电极, 电极接线连通电压触发器，则制成具有铝/铁掺杂非晶碳膜/铝（Al/a-C:Fe/Al）结构的纳米薄膜记忆电阻存储器。

4.根据权利要求3所述的一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器的制备方法，其特征在于：所述采用脉冲激光沉积方法制备铁掺杂的非晶碳（a-C:Fe）膜，是镀膜时使用纯度为99.99%的石墨和99.9%的金属Fe为靶源，金属Fe片贴在石墨靶上，操作中，通过靶和样件基片自转实现均匀掺杂，Fe掺杂量的原子百分比为10-15 %，激光能量320毫焦/脉冲，腔体真空度1×10-6 mBar，基片温度400-600℃，靶与基片距离4-6 cm，镀膜后退火30-60分钟，自然降温至室温。

5.根据权利要求3所述的一种铝/铁掺杂非晶碳膜/铝纳米薄膜记忆电阻存储器的制备方法，其特征在于：所述采用真空热蒸发方法在所述碳膜上蒸镀两个铝（Al）层，是通过掩膜板控制，在铁掺杂的非晶碳（a-C:Fe）膜的两端蒸镀铝（Al）层，蒸镀时，将一小段20-30毫克、纯度为99.9%的Al放入加热舟内，腔内抽至背底真空10-6mBar，室温下增大电流直至铝（Al）镀层厚度为80-120nm，以铝（Al）层作为电极, 电极接线连通电压触发器，则最终制成制成具有铝/铁掺杂非晶碳膜/铝（Al/a-C:Fe/Al）结构的纳米薄膜记忆电阻存储器。