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专利号: 2014103284518
申请人: 杭州电子科技大学
专利类型:发明专利
专利状态:无效专利
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-07-20
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1. 一种基于双十字架型的宽带低耗小单元左手材料,其特征在于包括两个十字架型金属线结构,且两个十字架型金属线结构镜像并列放置在介质基板的同一侧组成双十字架型金属线结构单元阵列。

2.如权利要求1所述的一种基于双十字架型的宽带低耗小单元左手材料,其特征在于所述的十字架型金属线结构由短横直线和长竖直线构成,十字架型金属线的短横直线长度为a,a的取值范围为1.0~5.0mm,十字架型金属线的长竖直线的长度为b,b的取值范围为2.0~6.0mm, 十字架型金属线的长竖直线的线宽为w,w的取值范围为0.1~0.25mm;

双十字架型金属线结构单元阵列中长竖直线之间的横向间距为g,g的取值范围为0.1~

0.25mm,双十字架型金属线结构单元阵列中短横直线之间的纵向间距为k,k的取值范围为

2.5~6.0mm;双十字架型金属线结构单元阵列中长竖直线两端距上下边界的距离为d,d的取值范围为0~0.2mm。

3.如权利要求1所述的一种基于双十字架型的宽带低耗小单元左手材料,其特征在于所述的双十字架型金属线结构单元阵列的单元间隔为c,c的取值为0.1~0.5mm;所述的单元间隔为两个双十字架型金属线结构单元阵列中,同一水平线上十字架型金属线短横直线之间的距离。

4.如权利要求1所述的一种基于双十字架型的宽带低耗小单元左手材料,其特征在于所述的双十字架型金属线结构单元阵列中金属线的电谐振和磁谐振位于同一频段。

5.如权利要求1所述的一种基于双十字架型的宽带低耗小单元左手材料,其特征在于所述的双十字架型金属线结构单元阵列刻蚀在介质基板上;所述的介质基板为介电常数

4.4的环氧树脂PCB基板。