1.一种磁控溅射法制备Bi2Se3薄膜的方法，其步骤是：

a、清洗基片：将硅基片依次在丙酮、乙醇、去离子水中进行10-20分钟的超声清洗；

b、溅射准备：将硅基片用热氮气干燥后放在磁控溅射设备的衬底上，在磁控溅射设备的溅射靶上安装纯度为99.99％的Bi2Se3靶材，调整溅射靶到硅基片的距离为5-7厘米；

c、溅射Bi2Se3薄膜：将溅射室抽真空至气压小于2×10-4Pa，再通入纯度为99.995％的氩气，使溅射室气压为0.4-0.6Pa，调整衬底温度为360℃，进行溅射功率为4-6W/cm2、时间为

60-600秒的溅射沉积；

d、后退火处理：将c步所得的沉积有Bi2Se3薄膜的硅基片和0.1-0.5g的硒粒一起封入气压小于1×10-2Pa的真空石英管中，置于管式炉中进行氩气保护气氛下的后退火处理，后退火处理时的参数为：以2℃/min升至250℃-300℃，再保温2-3小时；然后炉冷，即得。