1.基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器，其特征在于：包括电容C1、电容C2、电容C3、电感L、电阻R1、电阻R2、双极性晶体管Q、基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M；其中双极性三极管Q的基极端与发射极端分别与电容C1的正、负极端相连，分别记做a、b端；双极性三极管Q的集电极与电感L的一端相连，记做c端；电感L的另一端与电阻R1的一端相连，记做d端；电阻R1的另一端与电源VCC的正极端相连；电源VCC的负极端与a端相连；基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M的正极端与电容C3的正极端相连，记做e端；电容C3的负极端与电容C2的正极端相连，记做f端；电容C2的负极端与b端相连；基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M的负极端与电源VEE的负极端相连，记做g端；电源VEE的正极端与电阻R2的一端相连；电阻R2的另一端与b端相连；其中c、d端分别与f、e端相连；a、g端分别接地。

2.根据权利要求1所述的基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器，其特征在于：所述基于忆阻二极管桥的广义忆阻器M包括：二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R0、电容C0；二极管D1负极端与二极管D2负极端相连，记作h端；二极管D2正极端与二极管D3负极端相连，记作i端；二极管D3正极端与二极管D4正极端相连，记作j端；二极管D4负极端与二极管D1正极端相连，记作k端；其中h端、j端分别与电容C0的正、负极端相连，依次分别记为l、m端；电阻R0的正、负极端分别与l、m端相连。

3.根据权利要求1或2所述的基于广义忆阻Colpitts振荡器的混沌信号发生器，其特征在于：含有五个内部状态变量，分别为电容C1量两端电压v1，电容C2量两端电压v2，电容C3量两端电压v3，通过电感L电流iL，广义忆阻器M内部电容C0量两端电压v0。