1.一种生长氟代硼铍酸钾晶体的方法，其特征在于，将氟代硼铍酸钾籽晶浸入氟代硼铍酸钾晶体生长原料的熔体中，在3.5×10-2～6.7×10-2Pa的压力及680～780℃温度下进行晶体生长；

晶体生长所用的装置包括：加热炉(5)、育晶瓶(4)和密封减压装置(3)，所述的育晶瓶(4)的下部埋设在加热炉(5)内，育晶瓶(4)的上部通过密封减压装置(3)密封；所述的密封减压装置(3)包括密封法兰盖(304)、密封法兰盘(305)、第一密封垫(306)、第二密封垫(307)和冷却器(308)，其中：所述的密封法兰盖(304)套合在育晶瓶(4)的上部，且密封法兰盖(304)上设有与真空泵连通的接口；第一密封垫(306)、密封法兰盘(305)和冷却器(308)依次同轴的贴合在密封法兰盖(304)的外侧，第二密封垫(307)设在密封法兰盖(304)与育晶瓶(4)之间。

2.如权利要求1所述的生长氟代硼铍酸钾晶体的方法，其特征在于，将所述的氟代硼铍酸钾籽晶进行切割得到最佳优选晶面，调节氟代硼铍酸钾籽晶的位置使最佳优选晶面与水平面垂直，然后在与最佳优选晶面平行的两侧分别设置限位片，限位片与氟代硼铍酸钾籽晶的距离为5～10mm。

3.如权利要求1或2所述的生长氟代硼铍酸钾晶体的方法，其特征在于，所述的氟代硼铍酸钾晶体生长原料通过如下方法制备：将KBF4、BeO和B2O3按3:6:1的摩尔比例混匀，将混匀后的原料加热到750℃进行灼烧，再将灼烧后的物料于800℃进行烧结，即得到氟代硼铍酸钾晶体生长原料。

4.如权利要求1所述的生长氟代硼铍酸钾晶体的方法，其特征在于，所述的加热炉(5)为能保温的密闭腔体，加热炉(5)内围绕育晶瓶(4)的下部设有多套加热单元，靠近育晶瓶(4)的加热单元的产热量低于远离育晶瓶(4)加热单元的加热量。

5.如权利要求4所述的生长氟代硼铍酸钾晶体的方法，其特征在于，所述的加热单元包括第一套加热单元(503)和第二套加热单元(504)，第一套加热单元(503)为靠近育晶瓶(4)两侧对称设置的加热板，第二套加热单元(504)为远离育晶瓶(4)两侧对称设置的加热板，第一套加热单元(503)的高度高于第二套加热单元(504)的高度。

6.如权利要求1、4或5所述的生长氟代硼铍酸钾晶体的方法，其特征在于，所述的育晶瓶(4)为上部开口的圆柱形容器，其内设有籽晶夹持器(403)和限位片(402)，籽晶夹持器(403)和限位片(402)分别通过连接杆穿过密封法兰盖(304)，且限位片(402)与籽晶夹持器(403)之间的距离为5～10mm。

7.如权利要求6所述的生长氟代硼铍酸钾晶体的方法，其特征在于，所述的加热炉(5)的顶面上设有电机(1)和支撑架(2)，电机(1)通过支撑架(2)设置在减压密封装置(3)的上方，电机(1)连接籽晶夹持器(403)控制籽晶夹持器(403)的旋转方向。

8.如权利要求1或4所述的生长氟代硼铍酸钾晶体的方法，其特征在于，所述加热炉(5)的侧壁上设有观察窗。