1.一种晶体生长设备，其特征在于，该设备包括加热炉(1)、反应室(2)、密封装置(3)和减压装置(4)，所述的反应室(2)的下部埋设在加热炉(1)内，密封装置(3)密封反应室(2)的上部，减压装置(4)与密封装置(3)连通；

所述的密封装置(3)包括法兰盖(301)、法兰盘(302)及连通管(306)，其中：

所述的法兰盖(301)包覆反应室(2)的口部，法兰盘(302)将法兰盖(301)与反应室(2)密封；

连通管(306)与法兰盖(301)一体式连通，减压装置(4)通过连通管(306)与反应室(2)的内部空间连通；

所述的法兰盖(301)包括上部的密封盖和与密封盖同轴连接的下部套管，法兰盖(301)的下部套管贴合在反应室(2)的口部外周；

所述的法兰盘(302)为与法兰盖(301)同轴贴合的圆环状部件，沿法兰盘(302)的下部圆周方向设有冷却盘(303)，法兰盘(302)和冷却盘(303)包合在法兰盖(301)下部套管的外周；

沿所述的冷却盘(303)的内侧圆周上设有凸环(305)，凸环(305)与法兰盖(301)的下部套管的底周接合，且在凸环(305)与法兰盖(301)的下部套管的接合处设有密封圈(304)；

所述的凸环(305)有多个，相邻的凸环(305)间设有密封圈(304)。

2.如权利要求1所述的晶体生长设备，其特征在于，所述的密封装置(3)上还设有动密封装置(6)，动密封装置(6)包括定位管(601)、定位块(602)、定位头(603)、加固台(604)、密封法兰(605)和籽晶夹持器(606)；

所述的定位管(601)为一端开口另一端封闭的管体，加固台(604)为法兰构件，加固台(604)将定位管(601)的开口端固定在密封法兰(605)上，定位管(601)与密封装置(3)上的法兰盖(301)通过密封法兰(605)密封连通；

定位块(602)为包合在定位管(601)外周的磁性块，定位头(603)为位于定位管(601)内的磁性头，且定位头(603)与籽晶夹持器(606)同轴连接，定位块(602)通过磁力作用控制定位头(603)在定位管(601)内移动。

3.如权利要求2所述的晶体生长设备，其特征在于，以所述的籽晶夹持器(606)为中线对称的设有限位片(202)，限位片(202)通过接长杆固定在所述法兰盖(301)上，限位片(202)与籽晶夹持器(606)相距5～10mm。

4.如权利要求1、2或3所述的晶体生长设备，其特征在于，所述的反应室(2)的底部内放置原料室(205)，原料室(205)盛装原料并使原料熔融。

5.如权利要求1、2或3所述的晶体生长设备，其特征在于，所述的反应室(2)内设有隔热片(204)，隔热片(204)为带有至少两个穿孔的圆形片体，沿反应室(2)的内周上设有定位凸环(201)，隔热片(204)同轴式卡在定位凸环(201)上。

6.如权利要求2或3所述的晶体生长设备，其特征在于，所述的减压装置(4)为四通管构件，四通管的一通与密封装置(3)上的连通管(306)密封连通，四通管的另外三通分别连通测压计(401)、放气阀(402)和真空泵(403)。

7.如权利要求1、2或3所述的晶体生长设备，其特征在于，所述的加热炉(1)包括密闭的保温腔体及设在保温腔体内的加热圈(101)，加热圈(101)围绕反应室(2)的下部。