1.一种对痕量百草枯检测的CdTe量子点荧光探针的化学制备方法，包括在发射光谱带为红色的CdTe量子点荧光探针的表面修饰上巯基乙酸（Thioglycolic Acid，TGA），使其表面带有羧基官能团，其特征在于：所述的CdTe量子点表面带有羧基，其表面带负电荷的羧基与带正电荷的目标分子百草枯通过正负电荷的静电作用，当CdTe量子点与目标分子百草枯在空间上相互接近，利用荧光共振能量转移原理，发射光谱为红色的CdTe量子点荧光探针的发光谱带能够被绿色的目标分子百草枯所吸收，利用CdTe量子点荧光强度的改变，实现对痕量百草枯的检测，本发明的制备过程包括如下两个步骤：

1.1 第一步是紫色透明NaHTe溶液的制备：首先，分别称取0.12 g ~ 0.13 g碲粉和

0.07 g ~ 0.09 g硼氢化钠，置于50 mL三口烧瓶中，然后用1 mL的微量进样器加入2 mL ~ 4 mL去离子水于50 mL三口烧瓶中，在25℃条件下，氦气气氛中进行反应至黑色碲粉消失，得到紫色透明NaHTe溶液；

1.2 第二步是在发射光谱带为红色的CdTe量子点荧光探针的表面修饰巯基乙酸：称取0.4 g ~ 0.5 g CdCl2·2.5H2O溶于50 mL三口烧瓶中，加入20 mL ~ 25 mL去离子水，-1超声3 ~ 5 分钟，再加入300 μL ~ 400 μL巯基乙酸，用0.1 mol·L KOH溶液调节其溶液pH值在10 ~ 12之间，在上述所得的溶液中通入氦气0.5 ~ 1 小时后，迅速加入第一步所得的NaHTe溶液，溶液由无色变为褐色，在氦气气氛下继续回流反应，随着回流反应时间的增加，溶液颜色逐渐由无色变为橙色后逐渐加深，在48 ~ 50h后，最后反应溶液变为深褐色，通过控制回流反应时间即可得到不同大小粒径CdTe量子点，即得到不同荧光发射光谱的表面修饰了羧基的CdTe量子点；

将上述所得的表面修饰了巯基乙酸的CdTe量子点，用丙酮清洗三次去除多余未反应的底物，然后将CdTe量子点重新分散在去离子水中，得到表面带负电荷羧基的CdTe量子点荧光探针，这种发射光谱带为红色的CdTe量子点荧光探针对百草枯具有选择性和灵敏性，实现对痕量百草枯的探测。

2.根据权利要求1所述的一种对痕量百草枯检测的CdTe量子点荧光探针的化学制备方法，其特征是：所说CdTe量子点荧光探针荧光发射光谱是红色发光谱带。

3.根据权利要求1所述的一种对痕量百草枯检测的CdTe量子点荧光探针的化学制备方法，其特征是：所说CdTe量子点荧光探针发光谱带可通过调节回流反应时间来加以控制。

4.根据权利要求1所述的一种对痕量百草枯检测的CdTe量子点荧光探针的化学制备方法，其特征是：所说CdTe量子点荧光探针发射红色发光谱带能够被绿色的目标分子百草枯所吸收。

5.根据权利要求1所述的一种对痕量百草枯检测的CdTe量子点荧光探针的化学制备方法，其特征是：所说CdTe量子点荧光探针的表面修饰官能基团是巯基乙酸。

6.根据权利要求1所述的一种对痕量百草枯检测的CdTe量子点荧光探针的化学制备方法，其特征是：所说CdTe量子点荧光探针的表面修饰的巯基乙酸中的羧基是带负电荷。

7.根据权利要求1所述的一种对痕量百草枯检测的CdTe量子点荧光探针的化学制备方法，其特征是：所说CdTe量子点荧光探针表面的巯基乙酸中负电荷羧基与带正电荷的目标分子百草枯通过正负电荷的静电引力相互作用。

8.根据权利要求1所述的一种对痕量百草枯检测的CdTe量子点荧光探针的化学制备方法，其特征是：所说CdTe量子点荧光探针对目标分子百草枯痕量检测是基于荧光共振能量转移原理。

9.根据权利要求1所述的一种对痕量百草枯检测的CdTe量子点荧光探针的化学制备方法，其特征是：所说制备不同发射光谱带的CdTe量子点荧光探针的回流气氛是氦气。

10.根据权利要求1所述的一种对痕量百草枯检测的CdTe量子点荧光探针的化学制备方法，其特征是：所说CdTe量子点荧光探针表面修饰巯基乙酸带负电荷是通过KOH来调节。