1.一种具有通式(Ⅰ)的含N脒基硅化合物：

其中R1选自C1～C10烷基、C2～C10链烯基、C2～C10链炔基、C3～C10环烷基、C6～C17芳基、—N(SiMe3)2或—N(R5R6)，其中R2、R3独立的选自C1～C10烷基、C2～C10链烯基、C2～C10链炔基、C3～C10环烷基、C6～C17芳基，其中R4、R5、R6独立的选自氢原子、卤素原子(F、Cl、Br、I)、C1～C10烷基、C2～C10链烯基、C2～C10链炔基、C3～C10环烷基、C6～C17芳基、—Si(R2R3R4)、 或—N(R7R8)，其中R5、R6独立的选自氢原子、C1～C10烷基、C2～C10链烯基、C2～C10链炔基、C3～C10环烷基、C6～C17芳基，其中R7、R8独立的选自氢原子、C1～C10烷基、C2～C10链烯基、C2～C10链炔基、C3～C10环烷基、C6～C17芳基，其中R7、R8不同时为氢原子。

2.一种制备如权利要求1所述含N脒基硅化合物的方法，其特征是，包括以下步骤：

(1)将碳二亚胺或其衍生物溶解在反应溶剂中，碳二亚胺或其衍生物与反应溶剂的质量比为1:10～1:20，在-78～0℃保持搅拌的条件下加入烷/胺基锂溶液，碳二亚胺或其衍生物与烷基锂烷/胺的摩尔比为1:1～1.2，烷/胺基锂溶液的浓度为1.0～2.5M，搅拌速度为800～2000转/分钟；恢复到室温后继续搅拌反应0.5～3小时，得到反应混合物，所述反应溶剂为正己烷、甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃或乙醚；

(2)将步骤(1)得到的反应混合物过滤，收集滤饼，得到锂盐固体，将锂盐固体与有机溶剂混合，锂盐固体与有机溶剂的质量比为1:10～20，得到锂盐溶液，所述反应溶剂为正己烷、甲苯、二氯甲烷、四氢呋喃或乙醚；

(3)在-78～0℃按照锂盐与含硅反应物摩尔比1～4:1，向上述锂盐溶液中滴加含硅反应物或其上述溶液，缓慢升至一定温度，所述温度为室温至所用溶剂的回流温度，在此温度下继续搅拌反应3～10小时；

(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行过滤，滤液真空浓缩后低温结晶或者减压蒸馏得到通式(Ⅰ)的含N脒基硅化合物；

(5)或者在步骤(3)搅拌3～10小时后，在-78～0℃下，加入1～10摩尔当量的有

机胺，缓慢升至一定温度，所述温度为室温至所用溶剂的回流温度，在此温度下再继续搅拌反应3～10小时，滤液真空浓缩后低温结晶或者减压蒸馏得到通式(Ⅰ)的含N脒基硅化合物。

3.如权利要求2所述的制备方法，其特征是：步骤(1)中所述烷/胺基锂溶液为具有结构R1Li的乙醚或者正己烷溶液，其中R1选自C1～C10烷基、C2～C10链烯基、C2～C10链炔基、C3～C10环烷基、C6～C17芳基、—N(SiMe3)2或—N(R5R6)，其中其中R5、R6独立的选自氢原子、C1～C10烷基、C2～C10链烯基、C2～C10链炔基、C3～C10环烷基、C6～C17芳基。

4.如权利要求2所述的制备方法，其特征是：所述步骤(3)中，含硅反应物为SiX4、SiHX3、SiH2X2、SiH3X、Si2X6、(CH3)3SiX、(CH3)2SiX2、(CH3)SiX3、(CH3)2SiHX、(CH3)SiH2X、(CH3)SiHX2中的一种，其中X＝F、Cl、Br或I。

5.如权利要求2所述的制备方法，其特征是：所述步骤(3)及(5)中，升温速度为

0.5～1℃/分钟。

6.如权利要求2所述的制备方法，其特征是：所述步骤(5)中有机胺具有以下结构：

R7R8NH，其中R7、R8独立的选自氢原子、C1～C10烷基、C2～C10链烯基、C2～C10链炔基、C3～C10环烷基、C6～C17芳基，更进一步的R7、R8不同时为自氢原子。

7.如权利要求2所述的制备方法，其特征是：所述步骤(4)或(5)得到的反应混合物进行过滤，将滤液浓缩后，再进行低温结晶，或者减压蒸馏得到所述的含N脒基硅化合物；所述滤液浓缩的条件为：在20～50℃减压浓缩，浓缩或减压蒸馏压力为-0.1～-0.01MPa。

8.如权利要求1所述含N脒基硅化合物用作集成电路薄膜材料前质体的应用，其特征是：通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺，制备含硅薄膜。

9.如权利要求8所述的应用，其特征是：所述薄膜是采用如权利要求1所述的前质体与氨、一氧化二氮、一氧化氮、氧、臭氧、水蒸气中的一种或几种反应制得。

10.如权利要求8所述的应用，其特征是：所述薄膜包括氮化硅、含碳氮化硅、氧氮化硅、碳化硅、氧化硅、碳掺杂的氧化硅和碳掺杂的氧氮化硅薄膜。