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专利号: 2014106247915
申请人: 长春工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2023-10-16
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法,其特征在于,所述碳纳米管异质结有机气体传感器包括衬底(1),栅极(2),介电层(3),诱导层(4),半导体层(5),有机异质结层(6),气敏层(7),源极(8)、漏极(9),衬底(1)采用玻璃及柔性树脂,半导体层(5)为红荧烯(Rubrene ),单晶迁移率达到10 cm2/Vs,异质结层(6)由半导体层(5)和富勒烯构成,厚度不小于1.5 nm,不大于60 nm,实现过程是首先以玻璃及柔性树脂做衬底;然后在其上蒸镀一层诱导层诱导半导体层稳定结晶,再在半导体层上蒸镀一层富勒烯,构成异质结;最后在异质结层上蒸镀一层有机气敏材料;有机气敏层与气体接触时,能实现产生载流子且相对于有机气敏层未与气体接触时具有更高的气敏性,而有机载流子输运层则是利用具有较高迁移率的有机异质结半导体,实现载流子的输运作用。

2.根据权利要求1所述的一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法,其特征在于,栅极(2),源极(8)、漏极(9)由钕铝、钼钨、钼高电导率的金属及其金属氧化物构成。

3.根据权利要求1所述的一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法,其特征在于,介电层(3)为氮化硅(Si3N4),厚度不小于80 nm,不大于300 nm。

4.根据权利要求1所述的一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法,其特征在于,诱导层(4)为α-四联噻吩(α-4T),厚度不小于5 nm,不大于30 nm。

5.根据权利要求1所述的一种碳纳米管异质结有机气体传感器的制备方法,其特征在于,气敏层(7)由单壁碳纳米管(SCNT)构成,或者用多壁碳纳米管(MCNT)构成,厚度不小于

0.2 nm,不大于10 nm。