1.一种垂直磁化薄膜测试装置，它有计算机；它用激光器、起偏棱镜组成入射光路，向设置在电磁铁磁场气隙中的样品架投射入射光；用检偏棱镜和光电检测器组成反射光路，光电检测器接收该样品架上被测磁性薄膜反射的光信号；它的磁场扫描电源与电磁铁成电连接；其特征在于：该光电检测器的输出端口与计算机的第一信号输入端口连接；该磁场扫描电源的控制端口与计算机的第一控制输出端口连接；该电磁铁为磁场气隙为30mm时磁场强度不低于1T的单线包双轭电磁铁，该电磁铁座放时磁场方向水平，且在无线包侧的极头轴线上打有贯通该电磁铁磁轭及该极头直通磁场气隙的通光孔；其样品架上设有四个成十字形分布的可调节的导电探针；它还有恒流源、纳伏表，该恒流源的输出端口连接该样品架上一对相对设置的导电探针，该纳伏表的输入端口连接该样品架上另一对相对设置的导电探针；该计算机的第二控制输出端口与该恒流源的控制输入端口连接，该计算机的第二信号输入端口与该纳伏表的输出端口连接。

2.根据权利要求1所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于：所述电磁铁为单线包双轭单调谐可调气隙电磁铁，其磁场气隙在0-100mm范围内可调节，其极面直径为50mm；

所述电磁铁上通光孔的孔径为1mm。

3.根据权利要求1或2所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于：所述样品架后侧靠近被测样品处设有霍尔传感器，该霍尔传感器的输出端口连接一个高斯计的输入端口，该高斯计的数据输出端口连接所述计算机的第三信号输入端口。

4.根据权利要求1或2所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于：所述激光器为稳定性为0.2％的氦氖激光器；该激光器波长为632.8nm，功率5mW，偏振度为500:1；在该激光器与起偏棱镜之间设有1/2玻片。

5.根据权利要求4所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于：所述起偏棱镜与检偏棱镜由一对已装配格兰-汤普森方解石偏振器实现，该起偏棱镜与检偏棱镜上设有波长为350-700nm的增透膜，该起偏棱镜与检偏棱镜的消光比为100000:1。

6.根据权利要求4所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于：所述的入射光路中在起偏棱镜与样品架之间设有光学焦距为1m的长焦距透镜。

7.根据权利要求4所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于：所述的反射光路中在检偏棱镜与光电检测器之间设有窄带滤光片，该窄带滤光片的中心波长为632.8±

0.6nm，半高宽为3±2nm。

8.根据权利要求1或2所述的一种垂直磁化薄膜测试装置，其特征在于：所述样品架具有无磁硬铝材料制成的L形托板、绝缘材料制成的底板、无磁的黄铜材料制成的四个铜螺柱和四个弹性的导电探针；底板安装在L形托板上，四个铜螺柱成十字形分布设置在底板上，并分别夹持一个导电探针；导电探针后部被铜螺柱夹持的部分开有长条形的调整槽，导电探针的前部向上抬起且在前端处设向下伸出的圆头触点。