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专利号: 2014107463485
申请人: 常州大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种采用巯基化和过氧化聚间苯二胺修饰铋膜电极同时检测镉、铅离子的方法,其特征是:包括以下步骤:a、一步法制备巯基化聚间苯二胺修饰电极:配制含有H2SO4、间苯二胺和巯基丁二酸的电解质溶液,采用循环伏安法修饰玻碳电极表面,得到巯基化聚间苯二胺修饰电极;

b、制备过氧化巯基化聚间苯二胺修饰电极:将步骤a制备得到的巯基化聚间苯二胺修饰电极,在氢氧化钠溶液中,采用恒电位法过氧化5~10min,得到过氧化巯基化聚间苯二胺修饰电极;

c、同时检测镉、铅离子:配制含有硝酸铋、硝酸铅和硫酸镉的NaAc-HAc缓冲溶液,在通氧状态下,将步骤b制备得到的过氧化巯基化聚间苯二胺修饰电极置于NaAc-HAc缓冲溶液中,原位沉积铋膜,静置,采用方波溶出伏安法,进行镉、铅离子同时检测。

2.根据权利要求1所述的采用巯基化和过氧化聚间苯二胺修饰铋膜电极同时检测镉、铅离子的方法,其特征是:所述的步骤a中H2SO4溶液浓度为0.01~0.5M,间苯二胺溶液浓度为0.01~0.5M,巯基丁二酸溶液浓度为0.5~10mM。

3.根据权利要求2所述的采用巯基化和过氧化聚间苯二胺修饰铋膜电极同时检测镉、铅离子的方法,其特征是:所述的步骤a中H2SO4溶液浓度为0.1M,间苯二胺溶液浓度为

0.1M,巯基丁二酸溶液浓度为5mM。

4.根据权利要求1所述的采用巯基化和过氧化聚间苯二胺修饰铋膜电极同时检测镉、铅离子的方法,其特征是:所述的步骤a中循环伏安扫描电位范围为-0.2~1.2V,扫速为

50mV/s。

5.根据权利要求1所述的采用巯基化和过氧化聚间苯二胺修饰铋膜电极同时检测镉、铅离子的方法,其特征是:所述的步骤b中氢氧化钠浓度为0.01~1M,恒电位电压为0.9~

1.3V。

6.根据权利要求5所述的采用巯基化和过氧化聚间苯二胺修饰铋膜电极同时检测镉、铅离子的方法,其特征是:所述的步骤b中氢氧化钠浓度为0.2M,恒电位电压为1.0V。

7.根据权利要求1所述的采用巯基化和过氧化聚间苯二胺修饰铋膜电极同时检测镉、铅离子的方法,其特征是:所述的步骤c中硝酸铋溶液浓度为100~5000μg/L,NaAc-HAc缓冲溶液的pH值为2~8,原位沉积时间为15~180s,原位沉积电位范围为-1.3~-0.9V,静置5~25s。

8.根据权利要求7所述的采用巯基化和过氧化聚间苯二胺修饰铋膜电极同时检测镉、铅离子的方法,其特征是:所述的步骤c中硝酸铋溶液浓度为1000μg/L,NaAc-HAc缓冲溶液的pH值为6,原位沉积时间为150s,原位沉积电位为-1.0V,静置15s。

9.根据权利要求1所述的采用巯基化和过氧化聚间苯二胺修饰铋膜电极同时检测镉、铅离子的方法,其特征是:所述的步骤c中镉、铅离子的检测电位范围为-1.2~-0.2V,镉、铅离子的检测浓度均为6~360μg/L。