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专利号: 2014108011822
申请人: 淮阴师范学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种基于表面修饰的磁性光子晶体自导单向边缘态传输方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)构造磁性光子晶体,所述磁性光子晶体包括有通孔的基材和多个铁氧体柱,所述铁氧体柱置于通孔中;

(2)对所述铁氧体柱施加外加偏置磁场,以打开能带狄拉克简并点,生成可类比整数量子霍尔效应的带隙;

(3)如果此带隙处于归一化频率0.5以上,通过增大所述铁氧体柱横截面积或减小晶格常数,从而增大占空比,降低磁性光子晶体在此带隙的频率;

(4)通过改变边界铁氧体柱的大小引入表面缺陷,使磁性光子晶体投影能带出现单向边界态,从而实现能量的自导单向边缘传输。

2.根据权利要求1所述基于表面修饰的磁性光子晶体自导单向边缘态传输方法,其特征在于,所述铁氧体柱的材料为软磁。

3.根据权利要求1所述基于表面修饰的磁性光子晶体自导单向边缘态传输方法,其特征在于,所述铁氧体柱的形状为规则柱体。

4.根据权利要求1所述基于表面修饰的磁性光子晶体自导单向边缘态传输方法,其特征在于,所述多个铁氧体柱构成规则形状的阵列。

5.根据权利要求1所述基于表面修饰的磁性光子晶体自导单向边缘态传输方法,其特征在于,所述基材的介电常数介于1.0-1.18之间。

6.根据权利要求1所述基于表面修饰的磁性光子晶体自导单向边缘态传输方法,其特征在于,所述基材的上表面和下表面分别设有盖板。

7.根据权利要求6所述基于表面修饰的磁性光子晶体自导单向边缘态传输方法,其特征在于,所述盖板的材料为金属。