1.一种CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)向氯化钴水溶液中加入TiCl3的盐酸溶液，得到Co和Ti摩尔比为1：(0.5-2)的混合溶液A；调节混合溶液A的pH值至6-10，获得蓝紫色的前驱体溶液B；

2)将前驱体溶液B移入水热反应釜中，然后将清洗过的硅基片浸入前驱体溶液B中，设置反应温度为180℃-240℃，反应5h-24h，反应结束后取出硅基片并冲洗干净，在硅基片上得到薄膜C；

3)将带有薄膜C的硅基片装于磁控溅射仪的样品台，以Co2O3射频靶和TiO2射频靶为共溅射源进行磁控溅射，以在硅基片上形成薄膜D；其中，通过控制磁控溅射的工作参数使溅射在薄膜C上Ti原子和Co原子的摩尔比为1︰(0.5-4)；

4)将带有薄膜D的硅基片在600℃-750℃保温2h，然后随炉冷却，得到CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜。

2.根据权利要求1所述的CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜制备方法，其特征在于：所述的步骤1)中TiCl3的盐酸溶液的质量浓度为15％。

3.根据权利要求1所述的CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜制备方法，其特征在于：所述的步骤1)中混合溶液A的pH值是采用浓氨水调节的。

4.根据权利要求1所述的CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜制备方法，其特征在于，所述的步骤2)中清洗过的硅基片是采用如下方法得到的：将硅基片依次在丙酮和无水乙醇各超声清洗15min，然后用去离子水冲洗干净，得到清洗过的硅基片。

5.根据权利要求1所述的CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜制备方法，其特征在于：所述的步骤2)中水热反应釜的填充比为30％-65％。

6.根据权利要求1所述的CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜制备方法，其特征在于：所述的步骤2)中的冲洗是采用去离子水和无水乙醇进行的。

7.根据权利要求1所述的CoTiO3纳米阵列湿敏薄膜制备方法，其特征在于，所述的步-4 -4骤3)中磁控溅射的工作参数为：镀膜室和样品室真空度均达到1.0×10 Pa-9.9×10 Pa，镀膜室的Ar气流量为10sccm-30sccm，工作压强为0.2Pa-2Pa，Co2O3射频靶和TiO2射频靶的电源功率均为100W-400W，磁控溅射时间为10min-90min。