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交叉波导
¥19800
专利号: 2014800805992
申请人: 华为技术有限公司
专利类型:其他
专利状态:已下证
专利领域: 光学
更新日期:2024-08-26
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种交叉波导,其特征在于,包括:第一波导和第二波导;

其中,所述第一波导和所述第二波导相互垂直且交叉设置,所述第一波导和所述第二波导交叉的部分所形成的区域为交叉区域;

所述第一波导和所述第二波导均包括浅刻蚀部分和芯层,所述浅刻蚀部分相对于所述芯层的轴线对称分布在所述芯层的长度方向的两边;

所述第一波导一端为第一输入波导,另一端为第一输出波导,所述第二波导的一端为第二输入波导,另一端为第二输出波导;

所述第一输入波导中的芯层等宽度设置,所述第一输入波导中的所述浅刻蚀部分外侧之间的距离相等;

所述第二输入波导中的芯层等宽度设置,所述第二输入波导中的所述浅刻蚀部分外侧之间的距离相等;

所述第一输出波导中的芯层靠近所述交叉区域的一端的宽度小于所述第一输入波导中芯层的宽度,所述第一输出波导的另一端芯层的宽度与所述第一输入波导中芯层的宽度相同,所述第一输出波导中浅刻蚀部分外侧之间的距离相等,所述第二输出波导中的芯层靠近所述交叉区域的一端的宽度小于所述第二输入波导中芯层的宽度,所述第二输出波导的另一端芯层的宽度与所述第二输入波导中芯层的宽度相同,所述第二输出波导中浅刻蚀部分外侧之间的距离相等;

或者,

所述第一输出波导中靠近所述交叉区域的一端的浅刻蚀部分外侧之间的距离小于所述第一输入波导中的所述浅刻蚀部分外侧之间的距离,所述第一输出波导的另一端浅刻蚀部分外侧之间的距离与所述第一输入波导中的浅刻蚀部分外侧之间的距离相同,所述第二输出波导中靠近所述交叉区域的一端的浅刻蚀部分外侧之间的距离小于所述第二输入波导中的所述浅刻蚀部分外侧之间的距离,所述第二输出波导的另一端浅刻蚀部分外侧之间的距离与所述第二输入波导中的浅刻蚀部分外侧之间的距离相同。

2.根据权利要求1所述的交叉波导,其特征在于,所述芯层的厚度大于所述浅刻蚀部分的厚度。

3.根据权利要求1所述的交叉波导,其特征在于,所述第一波导和所述第二波导分别与所述轴线平行。

4.根据权利要求1所述的交叉波导,其特征在于,所述第一输出波导的宽度逐渐变宽,所述第二输出波导的宽度逐渐变宽。

5.根据权利要求1所述的交叉波导,其特征在于,所述第一输出波导浅刻蚀部分的宽度逐渐变宽,所述第二输出波导浅刻蚀部分的宽度逐渐变宽。

6.根据权利要求1-5任一项所述的交叉波导,其特征在于,所述第一波导和所述第二波导均为多模波导。

7.根据权利要求1-5任一项所述的交叉波导,其特征在于,所述第一波导和所述第二波导均为脊形波导。

8.根据权利要求1-5任一项所述的交叉波导,其特征在于,所述浅刻蚀部分的材料与所述芯层的材料相同。

9.根据权利要求1-5任一项所述的交叉波导,其特征在于,所述交叉区域的中心与所述第一波导的两端之间的距离相等;

所述交叉区域的中心与所述第二波导的两端之间的距离相等。

10.一种开关矩阵,其特征在于,包括至少一个如权利要求1-9任一项所述的交叉波导。