1.一种忆阻细胞神经网络的电路设计方法，其特征是包括以下步骤：(S1)根据传统细胞神经网络模型，构建一个三维细胞神经网络，通过调节参数设置使系统呈现混沌现象；

(1)传统的细胞神经网络(CNN)单元C(i,j)的状态方程表示为：其中，vukl(t)表示细胞单元的输入，vxij(t)表示细胞单元的状态，vykl(t)表示细胞单元的输出，B(i,j；k,l)表示电路控制模板，A(i,j；k,l)表示电路反馈模板；

(2)对于3×3的三维CNN引入简化的无量纲CNN模型，每个细胞单元都设置了三个对应的输入项：其中f(xk)为非线性输出项；

(3)当调整参数为 时，可以得到具有

混沌现象的方程：

以上无量纲的CNN方程中每个细胞单元分别设置了一个非线性输出项f(xi),i＝1,2,3；

(S2)采用Multisim通用电路元件构建(S1)中设计的三维细胞神经网络电路；

(S3)基于分段线性磁控忆阻器模型，通过设置相应参数使得与(S1)中构建的三维细胞神经网络的非线性输出函数相对应；

忆阻内部状态取决于所连细胞单元的状态变量xj，细胞单元的非线性输出函数重写为：其中， 为磁通量，Gc为线性电导。

(S4)在(S1)构建的三维细胞神经网络系统方程中，利用(S3)设计的忆阻器模型替换传统非线性输出部分，得到新的忆阻三维细胞神经网络模型；

Gc设置为1；

(S5)采用Multisim通用电路元件构建(S3)中设计的磁控忆阻等效电路；

(S6)在传统三维细胞神经网络电路(S2)中，采用(S5)设计的忆阻器等效电路替换(S2)中非线性输出部分的电阻，用电路设计仿真方式验证(S4)设计的新型忆阻细胞神经网络的混沌现象。