1.一种低介电常数微波介质陶瓷材料，其特征在于：该陶瓷材料的物相包括Li2Mg3SnO6和Mg2SnO4，其中Li2Mg3SnO6的含量为42wt％～95wt％，其余为Mg2SnO4；该陶瓷材料的介电常数为7.8～8.8，介电损耗为0.00007～0.00019，Q×f为72000～123000GHz，谐振频率温度系数为-40～-31ppm/℃。

2.根据权利要求1所述的低介电常数微波介质陶瓷材料，其特征在于：该陶瓷材料的物相包括Li2Mg3SnO6和Mg2SnO4，其中Li2Mg3SnO6的含量为52wt％，其余为Mg2SnO4；该陶瓷材料的介电常数为7.8，介电损耗为0.00007，Q×f为123000GHz，谐振频率温度系数为-32ppm/℃。

3.一种权利要求1所述的低介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于它由下述步骤组成：(1)混料

将纯度大于99.9％的Li2CO3粉、MgO粉、SnO2粉按摩尔比为1:3:1混合后加入球磨罐中，以氧化锆球为磨球、无水乙醇为研磨介质，充分混合球磨6～10小时，80～100℃干燥；

(2)预烧

将步骤(1)干燥后的混合物在1000～1200℃预烧4～6小时，得到预烧粉；

(3)二次混料

将预烧粉加入球磨罐中，以氧化锆球为磨球、无水乙醇为研磨介质，充分混合球磨6～

10小时，80～100℃干燥；

(4)造粒、成型

向步骤(3)干燥后的预烧粉中加入质量分数为5％的聚乙烯醇水溶液造粒，过80～

160目筛，再用粉末压片机压制成圆柱形生坯；

(5)烧结

将步骤(4)得到的圆柱形生坯在1320～1400℃烧结2～10小时，得到低介电常数微波介质陶瓷材料。

4.根据权利要求3所述的低介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，将步骤(1)干燥后的混合物在1000℃预烧4小时。

5.根据权利要求3所述的低介电常数微波介质陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述步骤(5)中，将步骤(4)得到的圆柱形生坯在1360℃烧结6小时。