1.一种SiC材料化学机械抛光方法，其特征在于：该方法采用的抛光设备包括密封腔体、机架、抛光盘、工件夹具、碱性抛光液输入部件和氧化性气体输入部件，所述的抛光盘、工件夹具均置于所述的密封腔体内，所述工件夹具置于所述的抛光盘上方，待抛光的SiC材料装夹在所述的工件夹具的底面；所述抛光盘安装在驱动主轴上，所述驱动主轴伸出所述密封腔体的底部，所述驱动主轴与主轴驱动装置连接；所述的碱性抛光液输入部件安装在所述的密封腔体上，所述的碱性抛光液输入部件上装有用于控制抛光过程中抛光液的流量的流量调节阀；所述的氧化性气体输入部件安装在所述的密封腔体上，所述的氧化性气体输入部件上装有用于控制抛光过程中所述密封腔内的气压大小的气压调节阀；所述抛光方法的过程如下：将SiC材料置于密闭环境中，密闭环境内的气压、温度以及输入气体组份可控，向密闭环境内充入氧化性气体，调节密闭环境内的温度以及氧化气体的分压至高温高压状态；当化学机械抛光过程处于富含高压氧化气体的环境时，氧化气体会大量溶解进-入抛光液中，并与碱性抛光液中的OH一起参与对SiC材料表层的氧化，加速SiC材料表层的氧化速率，碱性抛光液中的O2与SiC材料反应表层生成一薄层SiO2，通过调节环境温度、气体组份、气压和催化剂条件，实现控制抛光过程中SiC材料表面的化学反应速率。

2.如权利要求1所述的一种SiC材料化学机械抛光方法，其特征在于：采用催化的方法促进SiC材料表面的氧化反应。

3.如权利要求1或2所述的一种SiC材料化学机械抛光方法，其特征在于：所述的密封腔体上装有气体压力计和观察孔。

4.如权利要求1或2所述的一种SiC材料化学机械抛光方法，其特征在于：抛光垫粘贴在所述的抛光盘上。