1.一种n型纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质pn结原型器件的制备方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)采用热丝化学气相沉积法在p型(100)面单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜；

(2)采用离子注入方法，在步骤(1)得到的纳米金刚石薄膜中注入磷离子，得到磷离子注入的纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质结；

(3)将步骤(2)得到的磷离子注入的纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质结置于低压环境下，800-1000℃温度下退火10-50分钟，得到退火后的纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质结；

(4)退火后的纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质结在纳米金刚石薄膜一侧沉积钛/金电极，并真空退火，再在p型单晶硅一侧制作铟电极，即制得所述n型纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质pn结原型器件。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(1)采用以下步骤进行：将金刚石微粉混合于丙三醇得到金刚石微粉悬浊液，对p型(100)面单晶硅片打磨30～60分钟，打磨后的硅片置于金刚石微粉悬浊液中超声震荡15～30分钟，然后分别用去离子水、乙醇和丙酮进行超声清洗，干燥后作为生长纳米金刚石薄膜的衬底，将硅衬底放入热丝化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，采用氢气鼓泡的方式将丙酮带入到反应室中，气氛中还包含氩气，其中丙酮、氢气、氩气的流量比为90:200:100，热丝与衬底的距离为5mm；形核阶段热丝总功率4400W，气压1.6kPa，偏压4A，形核时间37分钟；生长阶段热丝总功率为4800W，气压

4.0kPa，偏压4A，生长时间1小时，生长结束后，缓慢降功率并持续通氢气进行冷却，制备得到厚度1～3μm的纳米金刚石薄膜。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(2)中：在步骤(1)得到的纳米金

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刚石薄膜中注入磷离子，磷离子的注入剂量为10 -10 cm ，注入能量为80keV。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(3)中，所述退火在低压环境中进行，所述低压环境为4000Pa。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(3)按以下步骤进行：将步骤(2)得到的磷离子注入的纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质结封于气压为4000Pa的石英管中，在800-1000℃下退火10-30分钟，得到退火后的纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质结。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(4)中，所述真空退火是在450℃下真空退火20分钟。

7.如权利要求1～6之一所述的方法制备得到的n型纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质pn结原型器件。

8.如权利要求7所述的n型纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质pn结原型器件，其特征在于所述n型纳米金刚石薄膜/p型单晶硅的异质pn结原型器件具有较高的整流率、工作电压和击穿电压。