1.一种基于氧化铪/氧化钛叠层结构的低功耗阻变存储器，其特征在于：采用Ni/氧化铪/氧化钛/TiN结构顺序，由上电极Ni、阻变层氧化铪/氧化钛叠层和下电极TiN构成，氧化铪的成分为HfOx，其中1

2.一种如权利要求1所述基于氧化铪/氧化钛叠层结构的低功耗阻变存储器的制备方法，其特征在于步骤如下：

1)以Si片为衬底，利用热氧化的方法制备SiO2绝缘层；

2)在SiO2绝缘层上利用磁控溅射的方法制备TiN下电极，溅射工艺条件为：本底真空小于10-4Pa、工作压强为0.1-2Pa、氮分压为5-20％、直流溅射功率为50-150W；

3)在TiN下电极上采用离子束溅射或电子束蒸发的方法制备一层Ti；

4)在氧气氛围下快速热处理(RTP)，使Ti热氧化为TiO2，工艺条件为：氧气流量1-2L/min、温度200-500℃、热氧化时间60-300s；

5)在TiO2上采用射频溅射法沉积氧化铪薄膜，溅射工艺条件为：本底真空小于10-4Pa、工作压强0.1-2Pa、氧分压为5-30％、溅射功率为50-250W；

6)在氧化铪薄膜上采用离子束溅射、磁控溅射或电子束蒸发工艺制备镍上电极。