1.一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于：Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的 Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方；

所述Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的膜结构用通式[Ge(a)/Sb(b)]x表示，其中a为单层Ge层的厚度，1nm≤a≤50nm；b为单层Sb层的厚度，1nm≤b≤50nm；x为Ge层和Sb层的交替周期数，x为正整数。

2.根据权利要求1所述的用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于： 60nm≤（a+b）*x≤80nm。

3.根据权利要求2所述的用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料，其特征在于： 45nm≤（a+b）*x≤80nm。

4.一种如权利要求1所述的用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：①基片的准备，将基片洗净烘干待用；

②磁控溅射的准备，将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上，将Ge和Sb作为溅射靶材分别安装在磁控射频溅射靶中，并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空，使用高纯氩气作为溅射气体；

③磁控溅射制备[Ge(a)/Sb(b)]x多层复合薄膜，首先清洁Ge靶材和Sb靶材表面，清洁完毕后，将待溅射的SiO2/Si（100）基片旋转到Ge靶位；打开Ge靶位上的射频电源，溅射结束后得到Ge层；Ge层溅射完成后，关闭Ge靶位上施加的直流电源，将已经溅射了Ge层的基片旋转到Sb靶位，开启Sb靶位上的射频电源，溅射结束后得到Sb层；重复上述溅射Ge层和Sb层的操作至需要的薄膜厚度，溅射结束得到GeSb类超晶格相变薄膜材料。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤②中高纯氩气的体积百分比≥99.999%，Ar气流量为25～35SCCM，氩气溅射气压为0.28Pa～0.35Pa。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤③中Ge层溅射速率为1～2s/nm，Sb层溅射速率为2～4s/nm。