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专利号: 2015102065630
申请人: 江苏理工学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料,其特征在于:Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构,由Ge层和Sb层交替沉积复合而成,将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期,后一个交替周期的 Ge层沉积在前一个交替周期的Sb层上方;

所述Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的膜结构用通式[Ge(a)/Sb(b)]x表示,其中a为单层Ge层的厚度, a=5nm;b为单层Sb层的厚度, b=1、3、5、7、9、11或13nm;x为Ge层和Sb层的交替周期数,x=4、5、6或8;48nm≤(a+b)*x≤72nm。

2.一种如权利要求1所述的用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法,其特征在于包括以下步骤:①基片的准备,将基片洗净烘干待用;

②磁控溅射的准备,将步骤①洗净的待溅射的基片放置在基托上,将Ge和Sb作为溅射靶材分别安装在磁控射频溅射靶中,并将磁控溅射镀膜系统的溅射腔室进行抽真空,使用高纯氩气作为溅射气体;

③磁控溅射制备[Ge(a)/Sb(b)]x多层复合薄膜,首先清洁Ge靶材和Sb靶材表面,清洁完毕后,将待溅射的SiO2/Si(100)基片旋转到Ge靶位;打开Ge靶位上的射频电源,溅射结束后得到Ge层;Ge层溅射完成后,关闭Ge靶位上施加的直流电源,将已经溅射了Ge层的基片旋转到Sb靶位,开启Sb靶位上的射频电源,溅射结束后得到Sb层;重复上述溅射Ge层和Sb层的操作至需要的薄膜厚度,溅射结束得到GeSb类超晶格相变薄膜材料。

3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:步骤②中高纯氩气的体积百分比≥

99.999%,Ar气流量为25~35SCCM,氩气溅射气压为0.28Pa~0.35Pa。

4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于:步骤③中Ge层溅射速率为1~2s/nm,Sb层溅射速率为2~4s/nm。