1.一种纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜的制备方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜；(2)采用离子注入方法，在步骤(1)得到的纳米金刚石薄膜中注入氧离子，得到离子注入后的薄膜；所述

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氧离子的注入剂量为10 ～10 cm 、注入能量为90～100keV；(3)将步骤(2)得到的离子注入后的薄膜进行有限热氧化退火，所述有限热氧化退火是在4000Pa的压力下、800～

1000℃的温度下退火30分钟，即得所述纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(1)按以下步骤进行：对单晶硅衬底采用金刚石研磨膏打磨半小时，打磨后的单晶硅片依次用去离子水和丙酮超声波清洗、干燥后作为纳米金刚石薄膜生长的衬底，将单晶硅衬底放入热丝化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，采用氢气鼓泡方式将丙酮带入到反应室中，反应温度为600～700℃、反应时间

5～6小时，制备得到厚度为3～4μm的纳米金刚石薄膜。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(2)中，所述氧离子的注入剂量为

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10 cm 。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(3)中，有限热氧化退火温度为

800～900℃，压力为4000Pa，退火时间为30分钟。

5.如权利要求1～4之一所述的方法制备得到的纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜。

6.如权利要求5所述的纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜，其特征在于所得纳米金刚石晶粒尺寸为3～6nm，晶界中产生石墨烯纳米带，为纳米金刚石-石墨烯纳米带复合薄膜。