1.一种提高硼掺杂纳米金刚石薄膜p型导电性能的方法,其特征在于所述方法包括以下步骤:(1)采用热丝化学气相沉积方法,在单晶硅衬底上制备硼掺杂纳米金刚石薄膜;(2)将步骤(1)得到的硼掺杂纳米金刚石薄膜在500-700℃温度下的空气中保温5-50分钟,即制得p型导电性能提高的硼掺杂纳米金刚石薄膜。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述步骤(1)按以下步骤进行:对单晶硅片采用金刚石研磨膏打磨半小时,打磨后的单晶硅片依次用去离子水和丙酮超声波清洗、干燥后作为纳米金刚石薄膜生长的衬底,将单晶硅衬底放入化学气相沉积设备,以丙酮为碳源,硼酸二甲酯为硼源,硼在碳源中的质量浓度范围为1000-4000ppm,采用氢气鼓泡方式将溶有硼酸二甲酯的丙酮带入到反应室中,反应温度600~700℃,反应时间5~6小时,在单晶硅衬底上制备得到厚度为1~10μm的硼掺杂纳米金刚石薄膜。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于所述步骤(2)中,硼掺杂纳米金刚石薄膜在500-600℃温度下的空气中保温15-45分钟,制得p型导电性能提高的硼掺杂纳米金刚石薄膜。