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专利号: 2015102881836
申请人: 天津理工大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种Bi 位掺杂N 型Bi 2S3热电材料的制备方法,其特征在于:将可溶性铋盐、可溶性硫源和可溶性施主掺杂离子溶于去离子水,混合均匀后倒入衬聚四氟乙烯的水热反应釜中,60-120℃反应6-12h ;自然冷却至室温,抽滤洗涤,烘干;所得粉末冷等静压成型,在微波烧结炉内气体保护烧结致密得到产品。2.根据权利要求1 所述的Bi 位掺杂N 型Bi 2S3热电材料的制备方法,其特征在于:所述的可溶性铋盐为硝酸铋、氯化铋或醋酸铋中的一种,取摩尔浓度为0.2-1.0M ;所述的可溶性硫源为硫化钠、硫脲或硫代乙酰胺中的一种,取摩尔浓度为0.2-1.0M ;溶剂为去离子水。3.根据权利要求1 所述的Bi 位掺杂N 型Bi 2S3热电材料的制备方法,其特征在于:Bi位施主掺杂离子为Zr4+、Sn4+或Ce4+中的一种,分别由硝酸锆、四氯化锡或硝酸铈铵提供,其掺杂浓度为0-2.0mol%,制备硫化铋所用原料按化学式Bi2-xDxS3计算,其中:D 代表施主掺杂离子,0