1.ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器的制备方法，其特征在于：由以下步骤实现：

首先采用真空抽滤结合热还原法在Ag叉指电极上制备还原石墨烯薄膜；

然后在还原石墨烯薄膜表面利用水溶液法原位生长单晶ZnO纳米墙；

最后将构筑好的ZnO纳米墙/RGO异质结在Ar气氛下高温热处理，获得ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器。

2.根据权利要求1所述的ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器的制备方法，其特征在于：由以下步骤实现：

步骤一：制备还原石墨烯薄膜：

（1）将Ag叉指电极放在混合液中，所述混合液中去离子水：氨水：双氧水的体积比为

5:1:1，进行超声清洗，之后放在瓷舟上，待其干燥；

（2）量取1-2ml氧化石墨烯溶液，加去离子水稀释到1000ml，超声1-2h；

（3）超声均匀后，用0.45-0.65um的滤膜真空抽滤，并用1000ml的去离子水清洗，再用

0.45μm的滤膜进行抽滤；

（4）将0.45-0.65um的滤膜裁剪至与叉指电极相同的尺寸，提前将异丙醇滴在叉指电极上，然后在叉指电极上放置滤膜，使滤膜紧贴基底，再缓慢滴加丙酮至完全浸透；

（5）在培养皿中倒入丙酮，排净滤膜与Ag叉指电极间的气泡，将覆有滤膜的电极放入培养皿中，静置,用滴管从培养皿中缓慢吸出丙酮；

（6）取出Ag叉指电极，用无水乙醇和蒸馏水分别清洗2~3次，烘干，得到氧化石墨烯薄膜；

（7）将烘干好的氧化石墨烯薄膜在通入Ar保护气的条件下，在200℃-800℃下进行高温热还原；

步骤二：在RGO薄膜表面原位生长ZnO种子层薄膜：将摩尔比为1:1的Zn(CH3COO)2·2H2O 和Al(NO3)3.9H2O与乙醇在室温条件下混合，使

2+

Zn 浓度为0.2mol/L，放在水浴锅中，用磁力搅拌器在70℃下加热搅拌1h，得到均匀的溶液；

将已覆有RGO的Ag叉指电极竖直浸入溶胶中，静30s；垂直取出、干燥、反复提拉数次；

将薄膜在400℃下热处理60min，得到ZnO种子层/RGO复合薄膜；

步骤三： 在RGO薄膜表面原位生长ZnO纳米墙：将Zn(NO3)26H2O与(CH3)6N4按摩尔比为1:1配制成0.05mol/L的溶液，70℃加热搅拌

1h，当溶液中开始出现浑浊后，停止搅拌，将溶液倒入水热反应釜的聚四氟乙烯内胆中，并将覆有ZnO种子层/RGO复合薄膜的Ag叉指电极垂直插入生长液中，80℃恒温生长5h;取出后用去离子水冲洗并干燥，得到ZnO纳米墙/RGO复合薄膜；

步骤四：ZnO纳米墙/RGO复合薄膜的热处理：将ZnO纳米墙/RGO复合薄膜在通入Ar保护气的条件下，最后在不同热处理温度（300℃-700℃）下进行热处理1-2h；

用去离子水冲洗、干燥，在Ag叉指电极上得到ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器。

3.如权利要求2所述的ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器的制备方法制得的ZnO纳米墙/RGO异质结气敏传感器。