1.一种缺陷地结构不对称共面波导式三频带天线，其特征在于：包括基板(1)，辐射贴片单元(2)，金属接地板(3)，阻抗匹配输入传输线(4)；基板(1)的表面有辐射贴片单元(2)、金属接地板(3)和阻抗匹配输入传输线(4)；金属接地板(3)上有矩形槽(5)、倒置直角三角形槽(6)和圆弧槽(7)；辐射贴片单元(2)包含均匀式折线组合型辐射贴片A(2-1)和辐射贴片C(2-3)，及不均匀式折线组合型辐射贴片B(2-2)三个辐射贴片。

2.根据权利要求1所述的缺陷地结构不对称共面波导式三频带天线，其特征在于：所述的基板(1)为聚四氟乙烯材料，相对介电常数εr＝2.55，尺寸为38mm*20mm*0.8mm，上层和下层为金属涂层，材料为铜。

3.根据权利要求1所述的缺陷地结构不对称共面波导式三频带天线，其特征在于：所述的辐射贴片单元(2)有A、B、C三部分辐射贴片组成，都是折线构成，下边均是宽度相同的水平贴片且重叠，A、B、C三辐射贴片均对称于基板Y轴。

4.根据权利要求1所述的缺陷地结构不对称共面波导式三频带天线，其特征在于：所述的辐射贴片A是一矩形贴片框，其框宽20mm、高17.5mm，贴片宽度为1mm；所述的辐射贴片B是一矩形贴片框，其框宽15mm、高8mm，该框左、右边及下边贴片宽度为1mm，上边贴片宽为3.5mm，在上边的上沿对称于基板Y轴连接有高2mm、宽5mm贴片；所述的辐射贴片C是一缺少上边的方形贴片框，其框宽、高均15mm，各边贴片宽度为1mm。

5.根据权利要求1所述的缺陷地结构不对称共面波导式三频带天线，其特征在于：所述的金属接地板(3)为两块宽度为7.8mm，高度为15mm，放置在阻抗匹配输入传输线(4)左右两侧，左侧金属接地板(3)与阻抗匹配输入传输线(4)左边有0.85mm缝隙，右侧金属接地板(3)与阻抗匹配输入传输线(4)右边有0.85mm缝隙。

6.根据权利要求1所述的缺陷地结构不对称共面波导式三频带天线，其特征在于：所述的阻抗匹配输入传输线(4)的宽度为2.7mm，高度为16.5mm。

7.根据权利要求1所述的缺陷地结构不对称共面波导式三频带天线，其特征在于：所述的矩形槽(5)的宽度分别为1.1mm和1mm，长度均为13.5mm，从接地板上边垂直向下不对称放置在左、右接地板中，左边槽中心线距基板左边缘垂直距离为1.45mm，右边槽中心线距基板右边缘垂直距离为1.5mm。

8.根据权利要求1所述的缺陷地结构不对称共面波导式三频带天线，其特征在于：所述的倒置直角三角形槽(6)的两条直角边长度分别为4mm和10mm，两槽槽口均为4mm，背靠背的从接地板上边向下垂直放置在左、右接地板中，两槽中心线距离12mm。

9.根据权利要求1所述的缺陷地结构不对称共面波导式三频带天线，其特征在于：所述的圆弧槽(7)的半径为4mm，弧度设置为180度，圆心在距基板底边15mm的y轴上。