1.一种制备纳米钴薄膜包覆铜颗粒复合颗粒膜的方法，其特征在于：首先在单晶硅基体上沉积Cu-Zr合金膜，然后在温度为550-600℃、且由N2与H2混合气氛保护的条件下退火45-90min，从而在单晶硅基体表面制备出ZrSix/Cu颗粒复合结构，然后在制备的ZrSix/Cu颗粒复合结构的表面沉积一层纳米Co薄膜即制得产品。

2.根据权利要求1所述的一种制备纳米钴薄膜包覆铜颗粒复合颗粒膜的方法，其特征在于：所述在单晶硅基体表面制备ZrSix/Cu颗粒复合结构的步骤如下：

1）将单晶硅基体清洗干净后置于磁控溅射镀膜机基片台上；

2）在镀膜机的靶位上分别放置好Cu靶和Zr靶，然后关闭真空室、开启机械泵和分子泵对真空室抽真空，使真空度达到0.0001-0.0005Pa；

3）向真空室通入高纯氩气使真空室内的气压为0.3Pa，然后同时接通Cu靶和Zr靶的电源在聚酰亚胺基体上共溅射沉积Cu-Zr合金薄膜；

4）将步骤3）制得的Cu-Zr合金薄膜在温度为550-600℃、保护气氛为N2与H2混合气氛的条件下退火45-90min，即制得ZrSix/Cu颗粒复合结构。

3.根据权利要求2所述的一种制备纳米钴薄膜包覆铜颗粒复合颗粒膜的方法，其特征在于：所述Cu-Zr合金薄膜中Zr的含量不低于5at%，且Cu-Zr合金薄膜的厚度不超过60nm。

4.根据权利要求1所述的一种制备纳米钴薄膜包覆铜颗粒复合颗粒膜的方法，其特征在于：所述在ZrSix/Cu颗粒复合结构的表面沉积一层纳米Co薄膜的操作为：在镀膜机的靶位上放置好Co靶，当真空室真空度达到0.0001-0.0005Pa后，向真空室通入高纯氩气使真空室内的气压达到0.3Pa，然后接通Co靶电源开始在ZrSix/Cu颗粒复合结构的表面沉积Co薄膜。