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专利号: 2015104540361
申请人: 电子科技大学中山学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种LED芯片寿命加速估算方法,其特征在于,包括以下步骤:A、选样品对同一批次的LED芯片随机选取样品2个,分别编号为1号样品、2号样品,在300K温度环境中,给1号样品加额定工作电流,测量得到初始光通量φ0;

B、老化前的测量

给1号样品加恒定反向电压V1,测量得到初始反向电流I01;

给1号样品加恒定反向电压V2,测量得到初始反向电流I02;

C、老化测试

将1号样品放入第1个测试箱,2号样品放入第2个测试箱,第1个和第2个测试箱分别设定测试温度为T1和T2,其中300K≤T1<T2,第1个和第2个测试箱分别设定测试电流为额定电流,开始老化测试,选定测试箱温度较高的那个样品来测光通量,当其光通量衰减为初始光通量的70%时,这两个样品都停止老化,记录老化时间t1;

D、老化后测量

从2个测试箱取出测试样品,给样品分别加恒定反向电压V1,1号样品测量得到反向电流I11,2号样品测量得到反向电流I12;给样品分别加恒定反向电压V2,1号样品测量得到反向电流I21,2号样品测量得到反向电流I22;

E、寿命估算

将三组条件:1、T=300K,t=0, 2、T=T1,t=t1, 3、T=T2,t=t1,分别代入如下寿命估算公式得到方程组

解方程组得到

将条件T=300K, 代入寿命估算公式

解得LED芯片寿命时间为