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专利号: 201510478118X
申请人: 常州大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2023-12-11
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,所述钙钛矿太阳能电池包括从下至上的透明导电玻璃基底、电子传输层、钙钛矿光敏层、空穴传导层和金属电极层,所述钙钛矿光敏层两侧围有ITO阻隔层;制备方法包括在透明导电玻璃基底上沉积一层电子传输层的步骤,再在电子传输层上涂覆填充一层钙钛矿光敏层的步骤,接着在钙钛矿光敏层上沉积一层空穴传导层的步骤,最后在空穴传导层上蒸镀一层金属电极层的步骤;其特征在于:上述制备过程是在空气中进行制备的,所述的再在电子传输层上涂覆填充一层钙钛矿光敏层的步骤为:先在电子传输层上两侧制备一层具有围墙结构的ITO阻隔层,然后在ITO阻隔层里涂覆填充一层钙钛矿光敏层;所述的在ITO阻隔层里涂覆填充一层钙钛矿光敏层的步骤为:将摩尔数之比为1:1的PbI2粉末和CH3NH3I晶体混合溶解在二甲基乙酰胺和超纯水按照体积比19:1组成的溶剂中,并60℃下搅动12小时,得到浓度为1.5mol/L的CH3NH3PbI3溶液;在相对湿度为

26-30%的环境中,将CH3NH3PbI3溶液旋涂在阻隔层里,转速为5000r.p.m,时间为40s,然后

100℃下加热10min,最后冷却得到填充在ITO阻隔层里的钙钛矿光敏层。

2.如权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述的先在电子传输层上制备一层具有围墙结构的ITO阻隔层指:在电子传输层上采用直流磁控溅射法沉积300-400nm厚的均匀致密的ITO阻隔层。

3.如权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述透明导电玻璃基底为FTO导电玻璃,其方块电阻是8-10Ω,透过率在80%。

4.如权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述电子传输层为氧化锌层,层厚为30-40nm。

5.如权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述钙钛矿光敏层被涂覆填充在具有围墙结构的ITO阻隔层里,层厚为300-400nm。

6.如权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述空穴传导层为P3HT,层厚为100-150nm。

7.如权利要求1所述的一种钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:所述金属电极层为Ag电极,层厚为150nm。