1.一种3D芯片堆叠的含Eu、纳米Au的互连材料，其特征在于：其成分及质量百分比为：

稀土Eu元素含量为0.01～0.5％，纳米Au颗粒为5～8％，其余为In。

2.一种权利要求1所述一种3D芯片堆叠的含Eu、纳米Au的互连材料的制备方法，其特征在于：首先制备In-Eu中间合金粉末，其次混合In-Eu粉末、In粉末、混合松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂并充分搅拌，最后添加纳米Au颗粒，充分搅拌制备膏状含Eu和纳米Au颗粒的互连材料。

3.一种利用权利要求2所述方法得到的一种3D芯片堆叠的含Eu、纳米Au的互连材料形成高强度互连焊点的方法，其特征在于：使用含Eu和纳米Au颗粒的互连材料，采用精密丝网印刷和回流焊工艺在芯片表面制备凸点，在1MPa～10MPa压力和170℃～260℃温度条件下实现三维空间的芯片垂直互连，形成高强度互连焊点。