1.一种含Nd、亚微米记忆颗粒CuZnAl的芯片堆叠互连材料，其特征在于：其成分及质量百分比为：稀土元素Nd含量为0.01～0.5％，亚微米记忆颗粒CuZnAl为0.05～8％，其余为In。

2.一种权利要求1所述的一种含Nd、亚微米记忆颗粒CuZnAl的芯片堆叠互连材料的制备方法，其特征在于：首先采用机械研磨制备In-Nd中间合金粉末，其次混合In-Nd粉末、In粉末、混合松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂并充分搅拌，最后添加亚微米记忆颗粒CuZnAl，充分搅拌制备膏状含Nd和亚微米记忆颗粒CuZnAl的互连材料。

3.一种利用权利要求2所述方法得到的含Nd、亚微米记忆颗粒CuZnAl的芯片堆叠互连材料形成具有记忆特性的高强度焊点的方法，其特征在于：使用膏状含Nd和亚微米记忆颗粒CuZnAl的互连材料，采用喷印工艺在芯片表面制备凸点，在压力1MPa～10MPa和温度170℃～260℃条件下实现三维空间的芯片垂直互连，形成高强度焊点。