1.一种识别天冬氨酸光学异构体的电化学方法，其特征在于：所述识别方法的具体步骤为，

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(1)制备L-Asp-Cu -N-CBZ-L-Asp三元络合物；

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(2)印迹L-Asp-Cu -N-CBZ-L-Asp模板分子的SiO2溶胶的制备采用溶胶凝胶法，在室温条件下，将0.8g聚乙二醇和32.5mL无水乙醇加入四口烧瓶中，升温至60℃，水浴回流搅拌30min后，加入0.5mM的步骤(1)中所制备的

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L-Asp-Cu -N-CBZ-L-Asp三元络合物的溶液，搅拌混合30min，将5mL的0.35M的正硅酸乙酯溶液缓慢加入上述四口烧瓶中后，将温度升至70℃，水浴回流搅拌6h，待反应结束后，得

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到含有三元络合物L-Asp-Cu -N-CBZ-L-Asp的SiO2溶胶，将该溶胶置于30℃恒温水浴下保存；

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(3)印迹L-Asp-Cu -N-CBZ-L-Asp三元络合物模板的SiO2溶胶修饰电极的制备

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用微量进样器移取6μL步骤(2)中制备的含有L-Asp-Cu -N-CBZ-L-Asp三元络合物的SiO2溶胶，均匀滴于GC电极表面，待自然晾干后，再次移取6μL步骤(2)中制备的溶胶均匀滴于GC电极表面，自然晾干后，即得修饰电极；

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(4)L-Asp-Cu -N-CBZ-L-Asp三元络合物模板的脱除以步骤(3)中得到的修饰电极为工作电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，以铂丝为对电极，将所述工作电极浸在醋酸溶液中，于0.1V电位下脱三元络合物模板500s，即得到

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具有L-Asp-Cu -N-CBZ-L-Asp三元络合物铸型的印迹电极；

(5)选择性识别天冬氨酸光学异构体

a、以步骤(4)中得到的脱模板后的印迹电极为工作电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比

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电极，铂丝电极为对电极，将所述工作电极置于不同L-Asp-Cu -N-CBZ-L-Asp浓度的富集

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溶液中富集，将富集L-Asp-Cu -N-CBZ-L-Asp后的印迹修饰电极，置于0.1M的KCl缓冲溶液中溶出，记录方波溶出伏安法曲线，并绘制标准曲线，

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b、将未知具体构型的天冬氨酸制备成L-或D-Asp-Cu -N-CBZ-L-Asp三元络合物，c、以步骤(4)中得到的脱模板后的印迹电极为工作电极，饱和甘汞电极(SCE)为参比电极，铂丝电极为对电极，将所述工作电极置于含有步骤b中所制备的L-或

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D-Asp-Cu -N-CBZ-L-Asp的富集溶液中，开路电位下富集800s后，在0.1M的KCl缓冲溶液中溶出，记录方波溶出伏安法曲线，通过与步骤a中得到的标准曲线对比还原峰电流值，实现对天冬氨基酸光学异构体的选择性识别。

2.如权利要求1所述的识别天冬氨酸光学异构体的电化学方法，其特征在于：步骤(1)中所述的聚乙二醇的分子量为6000。

3.如权利要求1所述的识别天冬氨酸光学异构体的电化学方法，其特征在于：步骤(5)中所述的富集溶液的pH值为3.0。

4.如权利要求1所述的识别天冬氨酸光学异构体的电化学方法，其特征在于：步骤(5)中所述的KCl缓冲溶液的pH值为3.0。

5.如权利要求1所述的识别天冬氨酸光学异构体的电化学方法，其特征在于：步骤(5)中所述的方波溶出伏安法的扫描电位增量为2.0mV，振幅为50.0mV，脉冲宽度为0.05V，初始电位为-0.4V，终止电位为0.9V，静置时间为2s。