1.一种单晶硅片钝化方法，其特征在于，包括如下步骤，

1)单晶硅片的清洗：对单晶硅进行清洗去除其表面的氧化层和金属离子以及有机物；

2)单晶硅片脱水：将清洗干净的单晶硅片进行干燥脱水；

3)氢化非晶硅锗的沉积：将干燥的单晶硅片放入等离子增强化学气相沉积系统中预热，在180℃-220℃的沉积温度和12W-200W的等离子体激发功率下，在硅烷、锗烷和氢气气氛中对单晶硅片双面进行氢化非晶硅锗的沉积后，完成对单晶硅片的钝化；单晶硅片经氢化非晶硅锗钝化后在空气中退火6-10h，退火温度240℃-300℃；

其中，步骤1)中采用改进的标准RCA清洗方法对单晶硅片进行清洗，具体步骤如下：经氨水:双氧水:超纯水体积比例为1:1.5:10的标准一液、超纯水、盐酸:氢氟酸:超纯水体积比例为1:1.5:10的标准二液和超纯水后清洗完成；

步骤3)中，等离子增强化学气相沉积系统中的沉积压强1.3Torr-10Torr，沉积时间

50s-300s，硅烷气体流率1sccm-100sccm，锗烷气体流率6sccm-100sccm，氢气流率150sccm-

1000sccm；氢化非晶硅锗沉积厚度为2-30纳米。

2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片钝化方法，其特征在于，所述用于钝化的单晶硅片其厚度20-200微米。

3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片钝化方法，其特征在于，所述的单晶硅片为P型或N型的单晶硅片。

4.根据权利要求1所述的一种单晶硅片钝化方法，其特征在于，钝化后单晶硅片的少数载流子寿命大于800μs。

5.一种硅基太阳能电池，其特征在于，采用如权利要求1-4中任意一项所述方法钝化的单晶硅片。