1.一种具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜的可控制备方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)在多晶金刚石衬底上，采用热丝化学气相沉积方法制备纳米金刚石薄膜；

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(2)将步骤(1)得到的纳米金刚石薄膜进行硅离子注入处理，注入剂量为10 -10 cm ，得到硅离子注入的薄膜；(3)将步骤(2)得到的硅离子注入的薄膜在800-900℃温度下，3000～5000Pa压力下，退火30-60分钟，得到退火后的薄膜；(4)退火后的薄膜在

500-600℃温度下的空气中保温30-60分钟，即制得所述具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(1)采用以下步骤进行：对多晶金刚石衬底采用金刚石研磨膏打磨15～60分钟，打磨后的衬底放入金刚石微粉-丙酮悬浊液中超声振荡2～3小时，再依次用去离子水和丙酮超声清洗、干燥后得到处理后的衬底，放入化学气相沉积设备中，以丙酮为碳源，采用氢气鼓泡方式将丙酮带入到反应室中，反应温度600～700℃、反应时间3～4小时，在多晶金刚石衬底上制备得到厚度4～6μm的纳米金刚石薄膜。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(2)中，硅离子的注入剂量为

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10 cm 。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(3)中，退火温度900℃，压力

4000Pa，退火时间30分钟。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(4)中，退火后的薄膜在600℃温度下的空气中保温30分钟。

6.如权利要求1～5之一所述的方法制备的具有Si-V发光的纳米金刚石薄膜。