1.一种自组装式网格状α-MoO3纳米带H2S气敏传感器，其特征在于，所述气敏传感器所用核心α-MoO3纳米带覆盖在石英基底上，石英基底的两端敷设有铜电极；其中，网格状α-MoO3纳米带具有制备过程中自组装形成的插指型纳米带结构，网格状α-MoO3纳米带为100纳米的薄膜；

铜电极为通过磁控溅射成膜，且成膜均匀有良好导电性的电极。

2.根据权利要求1所述的自组装式网格状α-MoO3纳米带H2S气敏传感器，其特征在于，所述网格状α-MoO3纳米带是通过电子束气相沉积的方法获得。

3.根据权利要求1所述的自组装式网格状α-MoO3纳米带H2S气敏传感器，其特征在于，石英基底的两端沉积了厚度为100纳米铜膜电极层构成铜电极。

4.根据权利要求2所述的自组装式网格状α-MoO3纳米带H2S气敏传感器，其特征在于，所述网格状α-MoO3纳米带通过电子束气相沉积在石英基底。

5.根据权利要求1所述的自组装式网格状α-MoO3纳米带H2S气敏传感器，其特征在于，所述的石英基底能够被蓝宝石或硅基底替换。