1.一种脱除放射性废水中钴离子的杂化膜吸附剂的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：①、在惰性气氛或空气中，在0～150℃的温度条件下，在硅烷偶联剂中加入以反应物质量比硅烷偶联剂∶磷酸二氢铵＝1～0.01∶1的磷酸二氢铵，用水溶解后进行溶胶-凝胶反应1～48小时，得到溶胶-凝胶反应的杂化前驱体；

②、在质量百分浓度为0.1～10％的聚乙烯醇(PVA)水溶液中，加入质量比PVA∶杂化前驱体＝1∶0.01～0.5的杂化前驱体，再继续反应1～24小时，将所得到的物质静置脱泡后得到涂膜液；

③、将静置脱泡后的涂膜液在聚四氟乙烯板或玻璃板上涂膜，室温下放置1-48小时后得到膜片，从聚四氟乙烯板或玻璃板上取下膜片，将膜片在0～100℃、相对湿度为50％～

90％的惰性气氛或空气中干燥0.5～48小时，即得到不带有支撑体的可用于脱除放射性废水中钴离子的杂化膜吸附剂；

或者，将静置脱泡后的涂膜液在支撑体上涂膜，至得到涂膜层，然后在0～100℃、相对湿度为50％～90％的惰性气氛或空气中将支撑体和涂膜层一起共同干燥0.5～48小时，即得到带有支撑体的可用于脱除放射性废水中钴离子的杂化膜。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述硅烷偶联剂为含有氨基的γ-氨丙基三乙氧基硅烷(简称KH-550)、N-(β-氨乙基)-γ-氨丙基三甲氧基硅烷(简称A-1120)、γ-氨丙基三甲氧基硅烷(简称A-1110)中的一种或多种相互混合后所得到的产物。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述支撑体可选用Al2O3陶瓷、二氧化硅陶瓷、二氧化钛陶瓷、二氧化锆陶瓷、聚乙烯膜、多孔硅片、涤纶布、锦纶布、玻璃纤维布、尼龙布或无纺布。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述干燥可选用真空干燥、对流干燥、传导干燥、紫外线干燥、红外线干燥、微波干燥、冷冻干燥、化学吸湿干燥或机械脱水干燥。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述涂膜可选用刮膜、喷洒涂膜、浸渍涂膜、流动涂膜或旋转涂膜。

6.一种如权利要求1所述方法制备的杂化膜吸附剂在脱除水中钴离子的应用。