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专利号: 2015106378935
申请人: 重庆工业职业技术学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕
更新日期:2024-02-23
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摘要:

权利要求书:

1.一种具有抗凝血功能的人工心脏瓣膜瓣叶涂层材料的制备方法,其特征是:采用非平衡磁控溅射技术,在低温同向热解碳(LTIC)上制备一层致密均匀的Ti-O薄膜,并采取水蒸气高温退火方式,得到具有抗凝血性能的Ti-O薄膜,其制备方法的步骤如下:A步骤、样品放置——将抛光后的洁净的低温同向热解碳(LTIC)样品安装在非平衡磁控溅射设备的A靶Ti靶前侧,调节靶位置,使其靶基距为85mm;逆时针转动靶台180°,将样品转至与A靶对称的C靶Si靶前侧,调节靶位置,使其靶基距为100mm;

B步骤、Si过渡层的制备——在非平衡磁控溅射设备真空室内,通入60sccm的Ar,在Si靶上施加脉冲电流,使Ar+轰击Si靶得到游离Si离子,并在样品负偏压的作用下沉积到样品表面;制备参数为:脉冲溅射电流2-2.3A,占空比70%,频率20KHz,溅射电压500-550V,沉积温度80-120℃,基体偏压-150V,沉积时间1分钟,薄膜的沉积速率为14.85±1.2Å/s,在LTIC瓣叶表面获得均匀的Si过渡层;

C步骤、Ti-O薄膜的制备——调节靶台顺时针旋转180°,将B步骤得到的沉积了一层Si过渡层的样品,转至A靶前侧,对真空室加热;当温度升高到200℃左右时,分别通入

40sccmAr和10sccmO2,在Ti靶上施加脉冲电流,使Ar+轰击靶材得到Ti离子,粒子在样品负偏压的作用下,沉积到样品表面;制备参数为:脉冲溅射电流2-2.3A,占空比70%,频率

20KHz,溅射电压350-400V,沉积温度180-225℃,基体偏压-150V,沉积时间20分钟,薄膜的沉积速率为195.62±23.4Å/s,氧氩比为10/40,在LTIC瓣叶表面获得均匀的Ti-O薄膜;

D步骤、水蒸气高温退火处理——将C步骤得到的Ti-O薄膜,放置于超高真空室中,其真空度为X*10-4Pa,将温度升高到800℃±10℃后,通入水蒸气保持气压为0.5Pa,并保持到退火实验完成后温度降低到200℃以下再关闭水蒸气送气阀。