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专利号: 201510662849X
申请人: 盐城工学院
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-02-23
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种氧化镓晶片去应力退火方法,其特征在于,包括以下步骤:a、将氧化镓晶片装载到辅助陶瓷工装架(1)上,再把辅助陶瓷工装架(1)置于退火用晶钵(2)内,向晶钵内加入氧化镓晶体粉末(3),直至填满晶片和辅助陶瓷工装架(1)与退火用晶钵(2)之间的间隙,并覆盖所有需经退火处理的晶片;

b、将退火炉(4)关起,缓慢通入保护气体氮气,气流速度控制在不要将退火用晶钵(2)内氧化镓晶体粉末(3)吹起即可;

c、将退火炉(4)以2℃/min的速度持续均匀升温至低温区域300℃,并保温3~5h;

d、将退火炉(4)内温度以2℃/min的速度持续均匀从300℃升至800℃,并保温6~10h;

e、将退火炉(4)内温度以0.5℃/min的速度持续均匀从800℃升至1200℃,保温16h;

f、高温区域保温结束后,将退火炉(4) 内以每小时10~20℃降温至室温,关闭氮气,出炉,取出去应力退火处理过的氧化镓晶片。

2.根据权利要求1所述的一种氧化镓晶片去应力退火方法,其特征在于,步骤f中退火炉(4)以20℃/h的速度降温至室温。