1.一种伞型微半球陀螺谐振子的自对准技术制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）选择圆形硅片作为衬底并清洗硅衬底（1），并在硅衬底（1）上表面上旋涂光刻胶，光刻形成后续深硅刻蚀工艺所用的第一掩膜；

2）采用深硅刻蚀工艺并通过第一掩膜在硅衬底（1）上表面刻蚀形成环形凹槽（2）结构、圆形凹槽（3）结构和中心柱体（4）结构，然后去除剩余的光刻胶即可：其中，环形凹槽（2）结构紧邻圆形硅片的周缘开设，圆形凹槽（3）结构开设于环形凹槽（2）结构之内，中心圆柱体（4）结构位于圆形凹槽（3）结构的中心处，环形凹槽（2）、圆形凹槽（3）和中心柱体（4）位于同一轴线上，环形凹槽（2）的槽深、圆形凹槽（3）的槽深以及中心柱体（4）的高度相等；

3）清洗玻璃片（5）和光刻后的硅衬底（1），将玻璃片（5）置于硅衬底（1）上表面上并进行硅-玻璃键合，环形凹槽（2）和圆形凹槽（3）与玻璃片（5）之间分别形成密封的腔体；

4）将键合好的玻璃片（5）进行玻璃面的减薄、研磨和抛光，减薄至80-90μm；

5）在减薄的玻璃片（5）表面依次溅射铬层、铜层和金层，同时对对准标记进行保护；其中，铬层厚度为50纳米、铜层厚度为600纳米、金层厚度为400纳米；

6）在金属层（6）的表面上旋涂光刻胶，光刻形成后续离子束刻蚀工艺所用的第二掩膜；

7）采用离子束刻蚀工艺并通过第二掩膜在金属层（6）上刻蚀形成圆形金属层片（7）以及若干电极金属层片（8），然后去除剩余光刻胶即可；其中，圆形金属层片（7）位于玻璃片（5）的中部且完全覆盖在硅衬底（1）的圆形凹槽（3）上，若干电极金属层片（8）均布于玻璃片（5）的周缘缘边且每个电极金属层片（8）横跨其对应部位的环形凹槽（2）的槽口；

8）将试样放入快速退火炉中进行高温处理，将温度升至玻璃的软化点，硅衬底（1）上的环形凹槽（2）腔体和圆形凹槽（3）腔体内的气体在内外压力差的作用下会膨胀，从而将圆形凹槽（3）上覆盖的玻璃片（5）及圆形金属层片（7）吹成近似空圆球形状，将环形凹槽（2）上覆盖的玻璃片（5）及若干电极金属层片（8）吹成近似拱门的形状；

9）对所得的试样用HF缓冲液腐蚀，将没有被金属层（6）覆盖的玻璃片腐蚀掉，最终得到伞型微半球陀螺谐振子及其检测电极和激励电极。

2.一种Y型微半球陀螺谐振子的自对准技术制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1）选择圆形硅片作为衬底并清洗硅衬底（1），并在硅衬底（1）上表面上旋涂光刻胶，光刻形成后续深硅刻蚀工艺所用的第三掩膜；

2）采用深硅刻蚀工艺并通过第三掩膜在硅衬底（1）上表面刻蚀形成环形凹槽（2）结构和圆形凹槽（3）结构，然后去除剩余的光刻胶即可：其中，环形凹槽（2）结构紧邻圆形硅片的周缘开设，圆形凹槽（3）结构开设于环形凹槽（2）结构之内，环形凹槽（2）和圆形凹槽（3）位于同一轴线上，环形凹槽（2）和圆形凹槽（3）的槽深相等；

3）清洗玻璃片（5）和光刻后的硅衬底（1），将玻璃片（5）置于硅衬底（1）上表面上并进行硅-玻璃键合，环形凹槽（2）和圆形凹槽（3）与玻璃片（5）之间分别形成密封的腔体；

4）将键合好的玻璃片（5）进行玻璃面的减薄、研磨和抛光，减薄至80-90μm；

5）在减薄的玻璃片（5）表面依次溅射铬层、铜层和金层，同时对对准标记进行保护；其中，铬层厚度为50纳米、铜层厚度为600纳米、金层厚度为400纳米；

6）在金属层（6）的表面上旋涂光刻胶，光刻形成后续离子束刻蚀工艺所用的第四掩膜；

7）采用离子束刻蚀工艺并通过第四掩膜在金属层（6）上刻蚀形成圆环形金属层片（9）以及若干电极金属层片（8），然后去除剩余光刻胶即可；其中，圆环形金属层片（9）位于玻璃片（5）的中部且完全覆盖在硅衬底（1）的圆形凹槽（3）上，若干电极金属层片（8）均布于玻璃片（5）的周缘缘边且每个电极金属层片（8）横跨其对应部位的环形凹槽（2）的槽口；

8）将试样放入快速退火炉中进行高温处理，将温度升至玻璃的软化点，硅衬底（1）上的环形凹槽（2）腔体和圆形凹槽（3）腔体内的气体在内外压力差的作用下会膨胀，从而将圆形凹槽（3）上覆盖的玻璃片（5）及圆环形金属层片（9）吹成近似空圆球形状，将环形凹槽（2）上覆盖的玻璃片（5）及若干电极金属层片（8）吹成近似拱门的形状；

9）对所得的试样用HF缓冲液腐蚀，将没有被金属层（6）覆盖的玻璃片（5）腐蚀掉，最终得到Y型微半球陀螺谐振子及其检测电极和激励电极。