1.一种功率半导体器件，包括有源区和结终端区；所述有源区包括第一N型掺杂区(20)、第二N型掺杂区(21)、第一P型掺杂区(31)和HK材料有源区(40)；所述HK材料有源区(40)和第二N型掺杂区(21)沿器件横向方向交替排布构成类超结结构；所述第一P型掺杂区(31)位于类超结结构的上表面；所述第一N型掺杂区(20)位于类超结结构的下表面；所述结终端区位于功率半导体器件有源区外侧或者外围，其包括第一N型掺杂区(20)、第二N型掺杂区(21)、第一P型掺杂区(31)和1个HK材料终端区(41)；HK材料终端区(41)位于所述第一P型掺杂区(31)下方，且紧邻有源区中第一N型掺杂区(20)、第二N型掺杂区(21)；所述结终端区中第一N型掺杂区(20)位于HK材料终端区(41)外侧或者外围，所述结终端区中第二N型掺杂区(21)位于结终端区中第一N型掺杂区(20)上方；所述有源区和终端区下表面具有第一金属电极(101)；所述有源区和终端区的上表面具有第二金属电极(103)；

所述HK材料有源区(40)贯穿第一N型掺杂区(20)与第一金属电极(101)连接；所述HK材料终端区(41)贯穿第一N型掺杂区(20)与第一金属电极(101)连接；所述终端区与有源区相连一侧的部分下表面与第一金属电极(101)连接。