1.一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器，其特征在于从上至下依次包括TE层、ZnO层、ITO/PET层，其中TE层选用功函数大于ZnO功函数的金属。

2.如权利要求1所述的一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：步骤(1)、ITO/PET柔性衬底作为下电极，通过溅射法制备ZnO薄膜：以ITO/PET作为衬底，通过溅射法在衬底表面形成ZnO层薄膜，得到ZnO/ITO/PET；

步骤(2)、金属上电极(TE)的制备：

将制备得到的ZnO/ITO/PET基体放于沉积室内，用掩模法通过电子束蒸发TE，使得ZnO薄膜上沉积TE层电极，最终得到柔性TE/ZnO/ITO/PET器件；其中TE为功函数大于ZnO功函数的金属。

3.如权利要求1所述的一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器或如权利要求

2所述的一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于ZnO层的厚度范围为50～150nm。

4.如权利要求1所述的一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器或如权利要求

2所述的一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于TE层的厚度范围为100～120nm。

5.如权利要求1所述的一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器或如权利要求

2所述的一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于TE层为若干个直径100μm的圆形金属上电极。

6.如权利要求1所述的一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器或如权利要求2所述的一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于ITO/PET为ITO导电膜,面电阻小于35±5Ω。

7.如权利要求2所述的一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于步骤(1)溅射条件如下：压强保持在0.1～0.3Pa，Ar流量为10～30sccm，溅射功率为55W，沉积时间控制在30～90分钟。

8.如权利要求2所述的一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于步骤(2)具体是在制备所得的ZnO薄膜上，放置一片冲有圆孔的不锈钢掩模板以遮挡下电极和部分ZnO薄膜，再将ZnO/ITO/PET基体及掩模板送入电子束蒸发镀膜仪中；

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当腔体的本底真空抽至6×10 Pa时，打开蒸发挡板向ZnO薄膜上沉积金属上电极。

9.如权利要求1所述的一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器或如权利要求

2所述的一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器的制备方法，其特征在于TE层选用功函数大于ZnO功函数的金属Pt、Cu或Au。