1.一种钙钛矿/氧化物薄膜电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在导电基底上制备氧化物薄膜；

(2)卤化铅颗粒的制备

将卤化铅的二甲基甲酰胺的饱和溶液在搅拌下滴加到无水乙醇中，冲洗，离心；

(3)卤化铅悬浮液的制备

将卤化铅加入到非质子有机溶剂中，加入表面活性剂后进行超声分散；

(4)卤化铅的电泳沉积

利用电泳法将卤化铅沉积到涂有氧化物薄膜的导电基底上，冲洗，干燥；

(5)钙钛矿光电极的制备

将沉积有卤化铅的导电基底放入到卤化甲胺的异丙醇溶液中自组装生成钙钛矿，得到钙钛矿/氧化物薄膜电极。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿/氧化物薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中的氧化物为TiO2或ZnO。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿/氧化物薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中导电基底为掺F的SnO2导电玻璃(FTO)、掺Sn的In2O3导电玻璃(ITO)、导电塑料或金属片。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿/氧化物薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述卤化铅为PbI2，PbBr2或PbCl2。

5.根据权利要求1所述的钙钛矿/氧化物薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述非质子有机溶剂为甲苯或三氯甲烷。

6.根据权利要求1所述的钙钛矿/氧化物薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂为油胺，浓度为0.2-0.8mg/ml。

7.根据权利要求4所述的钙钛矿/氧化物薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述卤化铅悬浮液的浓度为1-3mg/ml。

8.根据权利要求1所述的钙钛矿/氧化物薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述电泳沉积为恒压沉积方式，电压为70-90V，沉积时间为5-15s。

9.根据权利要求1所述的钙钛矿/氧化物薄膜电极的制备方法，其特征在于，所述卤化甲胺为CH3NH3I，CH3NH3Cl或CH3NH3Br，其卤元素与所用的卤化铅相对应。