1.一种自检测噪声滤波电路，用于低压差线性稳压器，包括第一电阻及第一电容，其特征在于：还包括第一NMOS管、两个窗口电压比较器及延迟合并电路，输入电压分别输入所述第一NMOS管的源极和两个所述窗口电压比较器的一输入端，所述第一NOMS管的漏极经所述第一电阻后输出电压，所述输出电压分别送入所述两个窗口电压比较器的另一输入端，所述两个窗口电压比较器的输出端连接所述延迟合并电路的输入端，所述延迟合并电路的输出端连接所述第一NMOS管的栅极，所述第一电阻连接所述第一电容后接地，所述两个窗口电压比较器对所述自检测噪声滤波电路的输入电压和输出电压进行比较以得到延迟合并电路的两输入信号，所述延迟合并电路进行处理以得到一控制信号，通过所述控制信号对所述第一NMOS管的栅极进行控制。

2.如权利要求1所述的自检测噪声滤波电路，其特征在于：所述窗口电压比较器包括偏置电路、第一级电路、第二级电路、第三级电路以及电流负载电路，所述偏置电路提供第一电流源并与所述第一级电路、第二级电路连接，所述第一级电路和所述电流负载电路对所述窗口电压比较器的两个输入信号处理后输出至所述第二级电路，所述第二级电路对所述输入信号处理后输出至所述第三级电路，所述第三级电路对所述输入信号放大后输出。

3.如权利要求2所述的自检测噪声滤波电路，其特征在于：所述偏置电路包括第一电流源和第二NOMS管，所述第一电流源的一端连接所述电源，所述第一电流源的另一端连接所述第二NMOS管的漏极和所述第二级电路，所述第二NMOS管的漏极和栅极相互连接，所述第二NMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极连接，所述第三NMOS管的漏极连接所述第一级电路，所述第二NMOS管的源极和所述第三NMOS管的源极接地。

4.如权利要求2所述的自检测噪声滤波电路，其特征在于：所述第一级电路包括第四NMOS管及第五NMOS管，所述第四NMOS管及第五NMOS管的漏极均与所述电流负载电路连接，所述第四NMOS管及第五NMOS管的源极均与所述第三NMOS管的漏极连接，且所述第五NMOS管的漏极连接所述第二级电路。

5.如权利要求2所述的自检测噪声滤波电路，其特征在于：所述第一级电路具有恒定的失调电压，且所述第一级电路的失调量由所述第四NMOS管及第五NMOS管的宽长比决定。

6.如权利要求2所述的自检测噪声滤波电路，其特征在于：所述第二级电路包括第六NMOS管及第一PMOS管，所述第六NMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的漏极，所述第六NMOS管的源极接地，所述第六NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极和所述第三级电路，所述第一PMOS管的栅极连接所述电流负载电路，所述第一PMOS管的源极连接电源。

7.如权利要求2-6任一项所述的自检测噪声滤波电路，其特征在于：所述第三级电路为第一反相器。

8.如权利要求7所述的自检测噪声滤波电路，其特征在于：所述电流负载电路包括第二PMOS管和第三PMOS管，所述第二PMOS管和第三PMOS管的源极连接电源，所述第二PMOS管和第三PMOS管的栅极相互连接后连接所述第一级电路，所述第二PMOS管的漏极与栅极连接，所述第三PMOS管的漏极连接所述第一级电路及第二级电路。

9.如权利要求8所述的自检测噪声滤波电路，其特征在于：所述延迟合并电路包括第二电容、第二电流源、第四PMOS管、第五PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管及第二反相器，所述第二电流源的一端连接所述第七NMOS管及第八NMOS管的源极，所述第二电流源的另一端接地，第二电容的两端分别连接所述第二反相器和地，所述第七NMOS管的栅极连接所述第四PMOS管的栅极，所述第七NMOS管的漏极连接所述第四PMOS管的漏极和所述第二反相器，所述第四PMOS管及第五PMOS管的漏极相互连接，所述第五PMOS管的栅极连接所述第八NMOS管的栅极，所述第五PMOS管的漏极连接所述第八NMOS管的漏极，延迟合并电路的两个输入分别送给第七NMOS管和第八NMOS管的栅极。